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CMOS模仿开关NLAS5223的结构原理、特色和使用

CMOS模拟开关NLAS5223的结构原理、特点和应用-NLAS5223是安森美公司推出的器件,是一种先进的CMOS模拟开关。在一个小尺寸10引脚WQFN封装中,有两个独立的单刀双掷模拟开关。该模拟开关主要特点:工作电压低,VCC=1.65~3.6V(型号为NLAS5223的与2.8V芯片接口,型号为NLAS5223L的与1.8V芯片接口);低功耗,最大的静态电流为±1μA(25℃);传输电流大,每一个开关可连续传输±300mA电流;开关的导通电阻小,在VCC=3.0 ±0.3V时,其导通电阻RDS(on)《0.5Ω;导通电阻在不同输入电压时,其平直度为0.15Ω;两个开关之间的导通电阻匹配性(电阻差值)不大于0.05Ω;开关关断时,绝缘电阻高;备用状态时备用电流低,小于50nA;耐静电击穿电压为2000V;无铅封装;10引脚薄型QFN封装(1.4mm×1.8mm×0.75mm);工作温度范围-40~+85℃。

NLAS5223是安森美公司推出的器材,是一种先进的CMOS模仿开关。在一个小尺度10引脚WQFN封装中,有两个独立的单刀双掷模仿开关。该模仿开关首要特色:作业电压低,VCC=1.65~3.6V(类型为NLAS5223的与2.8V芯片接口,类型为NLAS5223L的与1.8V芯片接口);低功耗,最大的静态电流为±1μA(25℃);传输电流大,每一个开关可接连传输±300mA电流;开关的导通电阻小,在VCC=3.0 ±0.3V时,其导通电阻RDS(on)《0.5Ω;导通电阻在不同输入电压时,其平直度为0.15Ω;两个开关之间的导通电阻匹配性(电阻差值)不大于0.05Ω;开关关断时,绝缘电阻高;备用状况时备用电流低,小于50nA;耐静电击穿电压为2000V;无铅封装;10引脚薄型QFN封装(1.4mm×1.8mm×0.75mm);作业温度规模-40~+85℃。

CMOS模仿开关NLAS5223的结构原理、特色和使用

图1 NLAS5223的内部结构及引脚摆放

内部结构及引脚摆放

NLAS5223的内部结构及引脚摆放如图1所示。图2是底部的外形图及顶面的类型代码,无铅封装符号及引脚1 的符号(符号0的底部)

图2 底部的外形图及顶面的类型代码

在图1中,1、2别离表明两个模仿开关,NO表明常开触头,NC表明常闭触头,IN表明操控电平输入端,COM表明公共端,VCC表明电源正端,GND表明地(电源负端)。

开关的功能表如表1所示。

加在IN端的高电平VIH与低电平VIL与VCC电压有关,如表2所示(不同类型有不同)。

NLAS5223和NLAS5223L的直流参数:开关导通电阻RDS(on)为0.3Ω(25℃)、0.4Ω(-40~+85℃)[VCC》3.0V];导通电阻平直度最大值0.15Ω[Icom= 100mA,VIS=0~VCC,VCC》3.0V];两通道的RDS(on)的差值最大值小于0.05Ω;开关关断时的漏电流±10nA[VCC=3.6V、VIN=VIL或VIH,VNO或VNC=0.3V]。

NLAS5223及NLAS5223L的沟通参数:导通时刻(ton)=50ns;关断时刻toFF=30ns(25℃)。

其他使用参数:-3dB带宽在VCC= 1.65~3.6V时典型值为17MHz;THD+N在VCC=3.0V时典型值为0.12%。

使用领域NLAS5223或NLAS5223L的作业电压低、尺度小、功耗小,首要使用于便携式电子产品。如蜂窝电话音频部分;扬声器和耳机的转化开关;放大器增益改动开关;调制解调器等。

图3 一种杨声器与耳机转化电路

图3是一种扬声器与耳机转化电路。拨动开关向左拨动时,IN为高电平(H);拨动开关向右拨动时,IN为低电平(L)。IN为H时接通耳机;IN为L时接通扬声器。

图4是另一半模仿开关用于改动放大器A的增益以满意扬声器负载或耳机负载所需求的输出功率要求。增益=1+Rf/Rinx,改动Rinx可改动增益。

图4 模仿开关用于改动放大器A的增益

图3、图4是用手动拨动开关来完成模仿开关的切换。假如该音频设备有 μP或μC时,也可用其I/O口的电平来操控模仿开关完成扬声器和耳机的切换。

责任编辑:gt

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