在电路中常见到运用MOSFET场效应管作为开关管运用。下面举例进行阐明。
图1 如图1所示，运用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的首要效果是续流效果，电路是锂电池充放电电路，当外部电源断开时选用Li电池进行内部供电，即+5V电源断开后Q1的G极为低电平，S极和D极导通，为体系供电。图中D2和D3的一方面是降压的效果，使5V降为4V（D2为锗管压降为0.2V，D3硅管压降为0.7V）。
图2 图2 作业原理同图1，也运用了内置续流二极管的P沟道MOSFET
图3 图3运用了内置续流二极管的N沟道的MOSFET
此电路是使用于开关时序的，当3.3V_SB为低电平时Q18、Q19不导通，5V时钟数据转3.3V时钟数据不导通；当3.3V_SB为高电平时5V时钟数据转3.3V时钟数据。
选用N沟道仍是P沟道确认额外电流确认热要求：首先要进行MOSFET的挑选，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率体系中，MOSFET可被当作电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。
有必要清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因而，总是要在栅极加上一个电压。这便是后边介绍电路图中栅极所接电阻至地。假如栅极为悬空，器材将不能按规划目的作业，并可能在不恰当的时间导通或封闭，导致体系发生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关封闭，而电流中止经过器材。尽管这时器材现已封闭，但仍然有细小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
第一步：选用N沟道仍是P沟道
为规划挑选正确器材的第一步是决议选用N沟道仍是P沟道MOSFET。在典型的功率使用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应选用N沟道MOSFET，这是出于对封闭或导通器材所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。一般会在这个拓扑中选用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
第二步：确认额外电流
第二步是挑选MOSFET的额外电流。视电路结构而定，该额外电流应是负载在所有状况下能够接受的最大电流。与电压的状况类似，规划人员有必要保证所选的MOSFET能接受这个额外电流，即便在体系发生尖峰电流时。两个考虑的电流状况是接连形式和脉冲尖峰。该参数以FDN304P管DATASHEET为参阅，参数如图所示：
在接连导通形式下，MOSFET处于稳态，此刻电流接连经过器材。脉冲尖峰是指有很多电涌（或尖峰电流）流过器材。一旦确认了这些条件下的最大电流，只需直接挑选能接受这个最大电流的器材便可。
选好额外电流后，还有必要核算导通损耗。在实践状况下，MOSFET并不是抱负的器材，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器材的RDS（ON）所确认，并随温度而明显改变。器材的功率耗费可由Iload2×RDS（ON）核算，因为导通电阻随温度改变，因而功率耗费也会随之按份额改变。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对体系规划人员来说，这便是取决于体系电压而需求折中权衡的当地。对便携式规划来说，选用较低的电压比较简略（较为遍及），而关于工业规划，可选用较高的电压。留意RDS（ON）电阻会跟着电流细微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数改变可在制造商供给的技术材料表中查到。
第三步：确认热要求
挑选MOSFET的下一步是核算体系的散热要求。规划人员有必要考虑两种不同的状况，即最坏状况和真实状况。主张选用针对最坏状况的核算成果，因为这个成果供给更大的安全余量，能保证体系不会失效。在MOSFET的材料表上还有一些需求留意的丈量数据；比方封装器材的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
器材的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。依据这个方程可解出体系的最大功率耗散，即按界说相等于I2×RDS（ON）。因为规划人员已确认即将经过器材的最大电流，因而能够核算出不同温度下的RDS（ON）。值得留意的是，在处理简略热模型时，规划人员还有必要考虑半导体结/器材外壳及外壳/环境的热容量；即要求印刷电路板和封装不会当即升温。
一般，一个PMOS管，会有寄生的二极管存在，该二极管的效果是避免源漏端反接，关于PMOS而言，比起NMOS的优势在于它的敞开电压能够为0，而DS电压之间电压相差不大，而NMOS的导通条件要求VGS要大于阈值，这将导致操控电压必定大于所需的电压，会呈现不必要的费事。选用PMOS作为操控开关，有下面两种使用：
第一种使用，由PMOS来进行电压的挑选，当V8V存在时，此刻电压悉数由V8V供给，将PMOS封闭，VBAT不供给电压给VSIN，而当V8V为低时，VSIN由8V供电。留意R120的接地，该电阻能将栅极电压稳定地拉低，保证PMOS的正常敞开，这也是前文所描绘的栅极高阻抗所带来的状况危险。D9和D10的效果在于避免电压的倒灌。D9能够省掉。这儿要留意到实践上该电路的DS接反，这样由附生二极管导通导致了开关管的功用不能到达，实践使用要留意。
来看这个电路，操控信号PGC操控V4.2是否给P_GPRS供电。此电路中，源漏两头没有接反，R110与R113存在的含义在于R110操控栅极电流不至于过大，R113操控栅极的常态，将R113上拉为高，到PMOS，一起也能够看作是对操控信号的上拉，当MCU内部管脚并没有上拉时，即输出为开漏时，并不能驱动PMOS封闭，此刻，就需求外部电压给予的上拉，所以电阻R113起到了两个效果。R110能够更小，到100欧姆也可。
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