什么是二极管
二极管，（英语：Diode），电子元件傍边，一种具有两个电极的设备，只允许电流由单一方向流过，许多的运用是运用其整流的功用。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具有的电流方向性咱们一般称之为“整流（Rectifying）”功用。二极管最遍及的功用便是只允许电流由单一方向经过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因而，二极管能够想成电子版的逆止阀。
前期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器材。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器材依照外加电压的方向，具有单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结构成的p-n结界面。在其界面的两头构成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，因为p-n 结两头载流子的浓度差引起分散电流和由自建电场引起的漂移电流持平而处于电平衡状况，这也是常态下的二极管特性。
前期的二极管包含“猫须晶体（“Cat‘s Whisker” Crystals）”以及真空管（英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”）。如今最遍及的二极管大多是运用半导体资料如硅或锗。
什么是三极管
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种操控电流的半导体器材其效果是把弱小信号扩大成起伏值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体根本元器材之一，具有电流扩大效果，是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制造两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分红三部分，中心部分是基区，两头部分是发射区和集电区，摆放办法有PNP和NPN两种。
二极管和三极管的差异
一、作业原理差异
二极管作业原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体构成的pn结，在其界面处两头构成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，因为pn结两头载流子浓度差引起的分散电流和自建电场引起的漂移电流持平而处于电平衡状况。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的相互抑消效果使载流子的分散电流添加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，构成在必定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到必定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度到达临界值发生载流子的倍增进程，发生许多电子空穴对，发生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
三极管作业原理
理论原理
晶体三极管（以下简称三极管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构办法，但运用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其间，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中参加磷替代一些硅原子，在电压影响下发生自由电子导电，而P是正极的意思（PosiTIve）是参加硼替代硅，发生许多空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其作业原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流扩大原理。
关于NPN管，它是由2块N型半导体中心夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间构成的PN结称为发射结，而集电区与基区构成的PN结称为集电结，三条引线别离称为发射极e （Emitter）、基极b （Base）和集电极c （Collector）。如右图所示
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状况，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状况，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的大都载流子浓度大于基区的，一同基区做得很薄，而且，要严厉操控杂质含量，这样，一旦接通电源后，因为发射结正偏，发射区的大都载流子（电子）及基区的大都载流子（空穴）很简单地跳过发射结相互向对方分散，但因前者的浓度基大于后者，所以经过发射结的电流根本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
因为基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分跳过集电结进入集电区而构成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb从头补给，然后构成了基极电流Ibo.依据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这便是说，在基极补偿一个很小的Ib，就能够在集电极上得到一个较大的Ic，这便是所谓电流扩大效果，Ic与Ib是保持必定的份额联系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1–称为直流扩大倍数，
集电极电流的改变量△Ic与基极电流的改变量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β–称为沟通电流扩大倍数，因为低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了便利起见，对两者不作严厉差异，β值约为几十至一百多。
α1=Ic/Ie（Ic与Ie是直流通路中的电流巨细）
式中：α1也称为直流扩大倍数，一般在共基极组态扩大电路中运用，描绘了射极电流与集电极电流的联系。
α =△Ic/△Ie
表达式中的α为沟通共基极电流扩大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。
关于两个描绘电流联系的扩大倍数有以下联系
三极管的电流扩大效果实际上是运用基极电流的细小改变去操控集电极电流的巨大改变。
三极管是一种电流扩大器件，但在实际运用中常常经过电阻将三极管的电流扩大效果转变为电压扩大效果。
扩大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的大都载流子（自由电子）不断地跳过发射结进入基区，构成发射极电流Ie。一同基区大都载流子也向发射差异散，但因为大都载流子浓度远低于发射区载流子浓度，能够不考虑这个电流，因而能够以为发射结首要是电子流。
2、基区中电子的分散与复合
电子进入基区后，先在接近发射结的邻近密布，逐渐构成电子浓度差，在浓度差的效果下，促进电子流在基区中向集电结分散，被集电结电场拉入集电区构成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，分散的电子流与复合电子流之份额决议了三极管的扩大才能。
3、集电区搜集电子
因为集电结外加反向电压很大，这个反向电压发生的电场力将阻挠集电区电子向基差异散，一同将分散到集电结邻近的电子拉入集电区然后构成集电极主电流Icn。别的集电区的少量载流子（空穴）也会发生漂移运动，流向基区构成反向饱和电流，用Icbo来表明，其数值很小，但对温度却反常灵敏。
二、二极管、三极管结构类型差异
1、三极管
晶体三极管，是半导体根本元器材之一，具有电流扩大效果，是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制造两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分红三部分，中心部分是基区，两头部分是发射区和集电区，摆放办法有PNP和NPN两种，
从三个区引出相应的电极，别离为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区“发射”的是空穴，其移动方向与电流方向共同，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区“发射”的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装办法和管脚辨认
常用三极管的封装办法有金属封装和塑料封装两大类，引脚的摆放办法具有必定的规则，
底视图方位放置，使三个引脚构成等腰三角形的极点上，从左向右依次为e b c；关于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的摆放不尽相同，在运用中不确认管脚摆放的三极管，有必要进行丈量确认各管脚正确的方位，或查找晶体管运用手册，清晰三极管的特性及相应的技能参数和资料。
2、三极管
半导体二极管首要是依托PN结而作业的。与PN结不可分割的点触摸型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包含这两种类型在内，依据PN结结构面的特色，把晶体二极管分类如下：
点触摸型
点触摸型二极管是在锗或硅资料的单晶片上压触一根金属针后，再经过电流法而构成的。因而，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。可是，与面结型相比较，点触摸型二极管正向特性和反向特性都差，因而，不能运用于大电流和整流。因为结构简略，所以价格便宜。
面触摸型
面触摸型或称面积型二极管的PN结是用合金法或分散法做成的，因为这种二极管的PN结面积大，可接受较大电流，但极间电容也大。这类器材适用于整流，而不宜用于高频率电路中。
键型
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而构成的。其特性介于点触摸型二极管和合金型二极管之间。与点触摸型相比较，尽管键型二极管的PN结电容量稍有添加，但正向特性特别优秀。多作开关用，有时也被运用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
合金型
在N型锗或硅的单晶片上，经过参加合金铟、铝等金属的办法制造PN结而构成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
分散型
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最 近，运用大电流整流器的干流已由硅合金型转移到硅分散型。
台面型
PN结的制造办法尽管与分散型相同，可是，只保存PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩下的部分便呈现出台面形，因而得名。初期出产的台面型，是对半导体资料运用分散法而制成的。因而，又把这种台面型称为分散台面型。关于这一类型来说，好像大电流整流用的产品类型很少，而小电流开关用的产品类型却许多。
平面型
在半导体单晶片（首要地是N型硅单晶片）上，分散P型杂质，运用硅片表面氧化膜的屏蔽效果，在N型硅单晶片上仅挑选性地分散一部分而构成的PN结。因而，不需求为调整PN结面积的药品腐蚀效果。因为半导体表面被制造得平坦，故而得名。而且，PN结合的表面，因被氧化膜掩盖，所以公以为是稳定性好和寿命长的类型。开始，关于被运用的半导体资料是选用外延法构成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，好像运用于大电流整流用的类型很少，而作小电流开关用的类型则许多。
合金分散型
它是合金型的一种。合金资料是简单被分散的资料。把难以制造的资料经过奇妙地掺配杂质，就能与合金一同过分散，以便在现已构成的PN结中取得杂质的恰当的浓度散布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
外延型
用外延面长的进程制造PN结而构成的二极管。制造时需求十分高明的技能。因能随意地操控杂质的不同浓度的散布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
肖特基
根本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的触摸面上，用已构成的肖特基来阻挠反向电压。肖特基与PN结的整流效果原理有根本性的差异。其耐压程度只要40V左右。其专长是：开关速度十分快：反向恢复时间trr特别地短。因而，能制造开关二极管和低压大电流整流二极管。
三、二极管、三极管其他差异
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表明，如： D5表明编号为5的二极管。
1、效果：二极管的首要特性是单导游电性，也便是在正向电压的效果下，导通电阻很小；而在反向电压效果下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、阻隔、稳压、极性维护、编码操控、调频调制和静噪等电路中。
电话机里运用的晶体二极管按效果可分为：整流二极管（如1N4004）、阻隔二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
2、辨认办法：二极管的辨认很简略，小功率二极管的N极（负极），在二极管表面大多选用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表明P极（正极）或N极（负极），也有选用符号标志为“P”、“N”来确认二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来辨认，长脚为正，短脚为负。
3、测验注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此刻测得的阻值才是二极管的正导游通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表明，如：Q17表明编号为17的三极管。
1、特色：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，而且具有扩大才能的特别器材。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从作业特性上可相互补偿，所谓OTL电路中的对管便是由PNP型和NPN型配对运用。
电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等类型；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等类型。
2、晶体三极管首要用于扩大电路中起扩大效果，在常见电路中有三种接法。
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