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根据LFCSP和法兰封装的RF放大器热阻核算规划流程概述

基于LFCSP和法兰封装的RF放大器热阻计算设计流程概述-射频(RF)放大器可采用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装,通过成熟的回流焊工艺安装在印刷电路板(PCB)上。PCB不仅充当器件之间的电气互联连接,还是放大器排热的主要途径(利用封装底部的金属块)。

简介

射频RF放大器可选用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装,经过老练的回流焊工艺安装在印刷电路板PCB)上。PCB不只充任器材之间的电气互联衔接,仍是放大器排热的首要途径(运用封装底部的金属块)。

本应用笔记介绍热阻概念,而且供给一种技能,用于从裸片到选用LFCSP或法兰封装的典型RF放大器的散热器的热活动建模。

热概念回忆

暖流

资料不同区域之间存在温度差时,热量从高温区流向低温区。这一进程与电流类似,电流经由电路,从高电势区域流向低电势区域。

热阻

一切资料都具有必定的导热性。热导率是衡量资料导热才能的规范。热导率值通常以瓦特每米开尔文(W/mK)或瓦特每英寸开尔文(W/inK)为单位。假如已知资料的热导率,则选用以下公式,以C/W或K/W为单位核算资料单位体积的热阻(θ):

依据LFCSP和法兰封装的RF放大器热阻核算规划流程概述      (1)

其间:

Length表明资料的长度或厚度,以米为单位。

k为资料的热导率。

Area表明横截面积,以m2为单位。

温度

运用暖流量等效于电流量的类比,自身具有热阻且支撑暖流活动的资料的温差如下:

∆T = Q × θ(2)

其间:

∆T表明资料不同区域之间的温差(K或°C)。

Q表明暖流(W)。

θ表明资料的热阻(C/W或K/W)。

器材的热阻

器材的热阻适当杂乱,往往与温度呈非线性联系。因而,咱们选用有限元剖析办法树立器材的热模型。红外拍摄技能能够确认器材衔接处的温度和操作期间封装的温度。依据这些剖析和丈量成果,能够确认等效的热阻。在对器材施行丈量的特定条件下,等效热阻是有用的,一般是在最大操作温度下。

参阅表1,检查典型的RF放大器的肯定最大额定值表。

依据LFCSP和法兰封装的RF放大器热阻核算规划流程概述

关于LFCSP和法兰封装,假定封装外壳是封装底部的金属块。

最高结温

在给定的数据手册中,会在肯定最大额定值表中给出每个产品的最大结温(依据器材的半导体工艺)。在表1中,指定的保持百万小时MTTF的最大结温为225℃。指定的这个温度一般适用于氮化镓(GaN)器材。超越这个限值会导致器材的寿数缩短,且呈现永久性的器材毛病。

作业温度规模

器材的作业温度(TCASE)已在封装底座上给出。TCASE是封装底部金属块的温度。作业温度不是器材周围空气的温度。

假如已知TCASE和PDISS,则很简单核算得出结温(TJ)。例如,假如TCASE=75°C,PDISS=70 W,则能够运用以下公式核算TJ:

TJ = TCASE + (θJC × PDISS)

= 75°C + (1.57°C/W × 70 W)

= 184.9°C

考量到器材的可靠性时,TJ是最重要的标准参数,决不能超越此数值。相反,假如能够经过下降PDISS,使TJ保持在最大可答应的水平之下,则TCASE能够超越指定的肯定最大额定值。在此例中,当外壳温度超越指定的最大值85°C时,可运用减额值636 mW/°C来核算最大可答应的PDISS。例如,运用表1中的数据,当PDISS的限值为83 W时,可答应的最大TCASE为95°C。PDISS可运用以下公式核算:

PDISS = 89.4 W − (636 mW/°C × 10°C)

= 83 W

运用此PDISS 值,能够核算得出225°C结温,核算公式如下:

TJ = TCASE + (θJC × PDISS)

= 95°C + (1.57°C/W × 83 W)(3)

器材和PCB环境的热模型

为了充沛了解器材周围的整个热环境,有必要对器材的散热途径和资料进行建模。图1显现了安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的截面原理图。在本例中,裸片生热,然后经由封装和PCB传输到散热器。要确认器材衔接处的温度,有必要核算热阻。运用热阻与暖流,可核算得出结温。然后将结温与最大指定结温进行比较,以确认器材是否可靠地运转。

在图1中,器材衔接处到散热器的散热途径界说如下:

θJA是器材衔接处到封装顶部周围空气的热阻。

θJC是衔接处到外壳(封装底部的金属块)的热阻。

θSN63是焊料的热阻。

θCU是PCB上镀铜的热阻。

θVIACU是通孔上镀铜的热阻。

θVIASN63是通孔中填充的焊料的热阻。

θPCB是PCB层压资料的热阻。

在典型电路板中,包含多个通孔和多个PCB层。在核算体系截面的热阻时,会运用热电路核算各个热阻,并将串联热阻与并联热阻结合起来,以此确认器材的总热阻。

依据LFCSP和法兰封装的RF放大器热阻核算规划流程概述

图1.安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的热模型

体系的热阻核算

关于每个散热途径,都运用公式1来核算其热阻。要核算得出各个热阻值,有必要已知资料的热导率。参见表2,检查PCB总成中常用资料的热导率。

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图2依据图1中所示的热模型,显现等效的热电路。TPKG表明封装底部的温度,TSINK表明散热器的温度。在图2中,假定封装(TA)周围的环境空气温度稳定不变。关于外层包有外壳的实在总成,TA或许跟着功耗添加而升高。本剖析疏忽了散热途径至环境空气的温度,由于关于具有金属块的LFCSP和法兰封装,θJA要远大于θJC。

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图2.等效的热电路

热阻示例:HMC408LP3评价板

HMC408LP3功率放大器选用一块0.01英寸厚,由Rogers RO4350层压板构成的评价板。图3所示的接地焊盘面积为0.065 × 0.065英寸,上有5个直径为0.012英寸的通孔。电路板顶部和底部别离有1盎司镀铜(0.0014英寸厚)。通孔选用½盎司铜进行镀层(0.0007英寸厚)。安装期间,会在通孔中填塞SN63焊料。剖析显现,简直一切的暖流都会流经焊料填塞的通孔。因而,在本剖析中,余下的电路板布局都可疏忽。

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图3.接地焊盘布局

各个热阻都运用公式1核算得出。核算θSN63时,选用的SN63焊料的热导率为1.27 W/inK,长度(或许焊接点的厚度)为0.002英寸,焊接面积为0.004225英寸(0.065英寸× 0.065英寸)。

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接下来,以类似方法核算PCB顶部的铜镀层的值。铜镀层的热导率为10.008 W/inK,长度为0.0014 英寸(1盎司铜),镀层面积为0.00366平方英寸(in2)。

依据LFCSP和法兰封装的RF放大器热阻核算规划流程概述      (5)

关于通孔上铜镀层的面积,选用以下公式进行核算

面积 = π × (rO2 – rI2)(6)

其间:

rO表明外径。

rI表明内径。

外径为0.006英寸,内径为0.0053英寸时,核算得出的面积为0.00002485 in2。通孔的长度为板的厚度(0.01英寸),铜的热导率为10.008 W/inK。

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由于并排存在5个通孔,所以热阻要除以5。所以,θVIACU = 8.05°C/W。

以类似方法核算得出通孔的填塞焊料的值。

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由于存在5个填塞通孔,所以等效热阻为θVIASN63 = 17.85°C/W。

接下来,运用0.01英寸长度、0.016 W/inK的Rogers RO4350热导率,以及0.00366 in2面积核算PCB的热阻。

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在图2所示的等效热电路中,三个热阻(θPCB、θVIACU和θVIASN63)并联组合之后为5.37°C/W。在通孔中填塞焊料之后,热阻从8.05°C/W下降至5.37°C/W。最终,加上热阻串联的值,能够得出整个PCB总成的热阻。

θASSY = θSN63 + θCU + θEQUIV + θCU = 0.372 + 0.038 + 5.37 + 0.038 = 5.81°C/W(10)

其间,θASSY表明总成的热阻。

确认功耗

热阻值确认后,有必要确认暖流(Q)值。关于RF器材,Q的值表明输入器材的总功率和器材输出的总功率之间的差值。总功率包含RF功率和直流功率。

Q = PINTOTAL − POUTTOTAL = (PINRF + PINDC) − POUTRF(11)

其间:

PINTOTAL表明直流功率和RF输入功率之和。

POUTTOTAL表明器材输出的功率,与POUTRF相同。

PINRF表明RF输入功率。

PINDC表明直流输入功率。

POUTRF表明传输至负载的RF输出功率。

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图4.HMC408LP3功耗与输入功率

关于HMC408LP3功率放大器,运用公式11来核算图4中所示的PDISS的值。图4显现了放大器的以下特性:

器材耗费约4 W功率,无RF输入信号。

选用RF信号时,PDISS的值由频率决议。

存在某一个输入功率,器材的功耗最低。

依据等效热阻、θTOTAL和Q,能够运用以下公式核算得出结温

ΔT = Q × θTOTAL(12)

θTOTAL = θASSY + θJC = 5.81 + 13.79 = 19.6°C/W(13)

关于无RF输入功率的停止状况,Q = 4 W,且

∆T = 4.0 × 19.6 = 78.4°C(14)

由于指定的HMC408LP3的最大结温为150°C,所以在PDISS = 4 W时,散热器的温度有必要≤71.6°C(也就是说,78.4°C + 71.6°C = 150°C)。

HMC408LP3功率放大器正常运转时(例如,输入功率≤ 5 dBm),功耗小于4 W,这表明散热器的温度能够略微高于71.6°C。可是,假如放大器在深度紧缩环境中作业,且输入功率等效于15 dBm,则PDISS升高,且要求散热器的温度低于71.6°C。

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可靠性

组件的预期寿数与作业温度密切相关。在低于最大结温的温度下运转能够延伸器材的运用寿数。超越最大结温会缩短运用寿数。因而,施行热剖析能够保证在预期的操作条件下不会超越指定的最大结温。

定论

运用选用LFCSP和法兰封装的低结温表贴RF功率放大器来围装热阻迫使PCB不只要充任器材之间的RF互连,还要用作导热途径以导走功率放大器的热量。

因而,θJC 替代θJA,成为衡量LFCSP或法兰封装的重要热阻目标。

在这些核算中,最要害的目标是RF放大器的结温或通道温度(TJ)。只要不超越最大结温,那么其他标称限值,例如TCASE,则能够高于限值。

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