关于晶体管扩大电路，咱们应首要了解该电路的特色和根本的作业流程。结合详细电路了解各电路的结构组成。然后，依据电路中各种要害元器材的效果、功用特色，对全体的电路类型进行区分。最终，经过对电路单元的剖析，完成对晶体管扩大电路的识图进程。
晶体管最根本的效果之一便是扩大，因而，运用晶体管制成的电路具有扩大的效果。当输入信号加至晶体管的基极时，基极电流IB随之改变，进而使集电极电流IC发生相应的改变。因为晶体管自身具有的扩大倍数β，依据电流的扩大联系IC=β×IB，使经过晶体管后的信号扩大了β倍，输出信号经耦合电容器Cc阻挠直流后输出，这时在电路的输出端便得到了扩大后的信号波形。
由图可知，晶体管基极输入的波形在晶体管中扩大了β倍，运用该技能制成的扩大电路，广泛应用于彩色电视机、影碟机、电磁灶、手机等电子产品中。
众所周知，晶体管具有电流扩大的效果，其基极的电流最小，且远远小于另两个引脚的电流，发射极电流最大（等于集电极电流和基极电流之和），集电极电流与基极电流之比即为晶体管的扩大倍数。
2. 晶体管扩大电路的结构组成
晶体管扩大电路首要是由晶体管、电阻器和电容器等组成的。
电阻器RA和RB具有分压效果，经过电源为晶体管的基极供电；电阻器RC经过电源为集电极供电；电容器CB和CC首要起到通沟通隔直流的耦合效果。
晶体管扩大电路中的中心器材便是晶体管，依据其结构的不同，又能够将晶体管分为NPN和PNP两大类，如图下图所示。晶体管首要是由三个区组成的，别离为发射区、基区和集电区，这3个区域的引出线别离称为发射极（C）、基极（B）和集电极（E），发射区与基区之间的PN结称为发射结，基区与集电区之间的PN结称为集电结。
