导读：PN结对咱们来说是很熟悉的东西了，二极管、三极管、MOS管等等都运用的是PN结的原理，下面咱们就来叙述一下PN结的原理，亲们快来学习一下吧~~~
1.PN结原理–简介
PN结(PN junction)，其实便是由一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体构成的一块半导体晶体，中心二者相连的接触面称为PN结。PN结是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。P是positive的缩写，N是negative的缩写，标明正荷子与负荷子起作用的特色。
2.PN结原理–特性
PN结的单向导电性：若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大;反之是高阻性，电流小。
击穿性：二极管的PN结PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强，反向电压增大到必定程度时，反向电流将忽然增大。
雪崩击穿：当阻挡层中的载流子漂移速度增大到必定程度时，会将共价键中的价电子磕碰出来。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，磕碰电离的时机较多，所以雪崩击穿的击穿电压高。
3.PN结原理
PN结的构成其实便是在一块完好的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边构成N型半导体，另一边构成P型半导体，那么在两种半导体的交界面邻近就构成了PN结。
在构成PN结之后，因为N型半导体区内的电子数量多于空穴数量，而P型半导体区内的空穴数量多于电子数量，所以在它们的交界处就呈现了电子和空穴的浓度差。这样，电子和空穴都要从浓度高的当地向浓度低的当地分散。此刻将在N型半导体和P型半导体的结合面上构成如下物理进程如下：
最终，多子的分散和少子的漂移到达动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两边，留下离子薄层，这个离子薄层构成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，因为短少多子，所以也称耗尽层。
拓宽阅览：
1.场效应管作业原理- -场效应管作业原理也张狂
2.二极管作业原理
3.PN结的构成及作业原理
