现在IC技能一日千里，无论是拟电路仍是数字电路都在高度集成化。十几年前由电视同收音机等设备里边那种鳞次栉比的三极管扩大电路现已不见踪影，三极管在电路里边的重要性也在逐步下降，但做为IC电路的根本组成单元，把握晶体管的相关常识，对电路的了解将会有相当大的不同。
一. 晶体管主要参数
晶体管主要参数咱们在课本上都学习过，这儿不多说。仅仅提示几个简单疏忽的问题。
1.发射结反向电压，
这是晶体管的一个极限参数，也就是说假如这个参数超量运用晶体管很简单损坏。在datasheet中这个参数用V(BR)EB。这个参数的是指，当集电极开路时，发射极-基极的反向击穿电压。在正常作业状况时，发射结是正偏的或截止的，不存在问题。然而在某些场合，例如作业开关状况时，因为寄生参数的影响，发射结上有或许呈现较大的反向电压击穿晶体管。所以在规划电路时需求当心考虑这个参数。
如上图，高达600V的晶体管13003，其发射结反向耐压也只要9V。
2.集电极最大答应电流
这是晶体管别的一个极限参数，望文生义，指晶体管集电极答应流过的最大电流。但这个参数一般只具有参阅意义，并Ic小于Icm晶体管就必定可以正常作业，Ic大于Icm晶体管也不必定焚毁。当Ic过大时，电流扩大系数( )会下降，当 下降到必定值时的Ic值即为Icm，所以当作业电流大于Icm时，BJT不必定会烧坏。别的，Ic还受制于晶体管的答应最大功率(Pcm)，晶体管上损耗的功率不只跟作业电流Ic有关，还有晶体管的两个PN结压降有关，所以，晶体管作业电流Ic小于Icm时，也有或许会呈现晶体管功率现已到达Pcm，晶体管或许会被焚毁。下图为晶体管可以正常作业的安全作业区，晶体管作业时不能超出此区间，不然会被烧坏。
3.电流扩大系数
晶体管有两个电流扩大系数，即沟通扩大系数和直流扩大系数，明显两个意义不同(详细请查阅教材)，可是在一般情况下两者相差不大，可以为持平。BJT的datasheet中一般只给出直流扩大系数。
因为制作工艺的问题，同一类型的BJT一般其电流扩大系数为一个规模，如上表中，在Ic=0.1mA,Vce=1.0V作业条件下，这款BJT的直流扩大系数为40~300规模内，所以在进行电路规划需求考虑这方面的影响。
二. 晶体管扩大电路
晶体管扩大电路是模仿电子电路里边的要点教学内容，这儿仅仅贴出三种不同接法的示意图和输出特性曲线，供我们回想。
三. 晶体管开关电路
因为教材里边更多的介绍晶体管扩大电路，晶体管开关电路相关内容较少，以至于许多同学在接触到晶体管开关电路时，莫衷一是。
下图表明了从共射极扩大电路到晶体管开关电路的演化进程。
(a)图为一般的共射级扩大电路，为了取得直流增益，去掉输入输出耦全电容，得到图(b)。进一步为了进步扩大倍数，去掉发射极电阻Re,变为图(c)。这样一来，也就没有必要加基极偏置电压，当输入信号为0V时，晶体管截止，所以集电极也没有必要流过无用空载电流，因而去掉偏置用电阻R1构成图(d)。为确保没有输入信号时，晶体管牢靠截止，需求保存电阻R2。可是假如(d)图中电路输入信号超越0.7V时，晶体管基极-发射极间的二极管将导通，需求添加一个限流电阻R3，即构成典型的晶体管开关电路图(e)。
需求留意的是，在晶体管开关电路中，要确保晶体管作业在饱和状况和截止状况两种作业状况，规划根据为Ib*hfe>=Ic。前面提到过，因为晶体管制作工艺的问题，晶体管的直流扩大系数hfe一般是一个规模，而非确认的数值，所以在进行电路规划时需求以直流扩大系数的最小值进行规划并留有必定裕量。
