1 导言
MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可主动调理电流，因此易于并联使用。但因为器材本身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因，并联使用功率MOSFET管会发生电流分配不均的问题，关于此问题，已有文献进行过剖析，这儿进一步剖析 MOSFET管并联使用时导通电阻Ron、栅阈电压UT、跨导Gm等本身参数及部分电路参数对静态和动态电流分配的影响。
2 导通电阻Ron对静态电流分配的影响
这儿静态是指器材开关进程已完毕并进入安稳导通后的作业状况。此刻，因为导通电阻Ron具有正的温度系数KT，可抑制电流分配不均的程度，但不能底子消除电流分配不均现象。实践证明，当n只器材并联时，若其间只要1只器材具有较小的导通电阻Ron，这时静态电流不均现象最为严峻。设较小导通电阻为R1，其他器材的导通电阻为R2，并设其结温为Tj=25℃时的导通电阻别离为 R10和R20，而结温Tj≠25℃时的导通电阻别离为R1T和R2T，则有：
式中，In为MOSFET管的漏极电流，RTj为PN结到管壳的热电阻。
若负载电流为I0，当各器材不存在电流分配不均现象时，各管漏极电流平均值为：
式中
为漏极电流的不均匀度
为导通电阻的不匹配度；M=I2BR10RTjKT，称为功率MOSFET管导通电阻的自主补偿系数。
当并联支路数n→∞时，式(6)可简化为：
在式(7)、(8)中再别离令M=0和n→∞，则均可得到：
A=B (9)
