图4.23中的景象，常常出现在大的总线结构中，尤其是在包括大的单排存储模块囝列的存储卡上。容性负载的值持平并且距离均匀地摆放。
假如上升沿的长度超过了负载间的距离，则能够推导出这个电路特性的一个简化的近似表达式。这个近似表达式将会告知咱们两件事：
1）线路的有用阻抗被减小。
2）线路的传达推迟添加。
这两项都严峻地影响了高速信号总线的功能。
1、均匀负载总线的有用阻抗
由于上升沿的有用长度与负载距离适当，依照式（
）信号将来回地反弹。关于十分轻的负载，只需分别把每个负载的反射累加起来，就能够核算出总的反射脉冲高度。这些反射信号的总和是一个最坏的运转状况，由于反射脉冲不会同一时间悉数抵达上任何一点。
第2次和第三次的反射衰减严峻，因此一般不值得进行核算。
关于上升沿长度大于负载距离的状况，每个电容的影响均匀地散布在上升沿的边上，假如咱们选用两倍数量的电容，而电容的值减小一半，或者是将电容的容量以持平的比率均匀地散布到线路上，发生的作用将没有什么不同。
电容均匀地散布地了解这个电路的要害。
结构一个新的传输线模型，每英寸具有电感和阻抗与原传输线相同，但有一个新的电容，总负载电容除以总路线长度的英寸数，得到每英寸的负载电容。然后用这个电容值加上传输线原有的每英寸电容，得出新模型的电容：
其间，C负载=负载电容，PF
N=负载数量
长度=总线长度，IN
C线=传输线的电容，PF/IN
C=新模型的有用电容，PF/IN
现在运用这个模型，能够从头核算有用传输线阻抗Z：
2、一个均匀负载总路线的传达推迟
其间，C=新模型的有用电容，PF/IN
L=原有电感，PH/IN
例：均匀负载的总路线
SAM将用SLMM模块结构一个大的存储电路板，他方案用16个SIMM组成一个大存储器阵列，如图4.24所示。一切16个SIMM的地址线并联在一个驱动端，记为门电路A，这里是每条线的临界参数：
C负载=50PF
N=16
长度=8IN
C线PF/IN
L=7250PH/IN
首要核算沿线的有用电容：
用新的电容值从头核算ZO和传达推迟：
总的线路推迟是：
在第一个SIMM之后6.9NS，最终一个SIMM才接收到地址数据，这个偏移将下降存储器的守时裕量，不仅如此，端接值和驱动阻抗都不得不十分低。
或许的解决办法都触及将SIMM地址总路线分为多条总线，每条总路线上只要少量几个负载。
做为一个查验，SAM应该运用与图1.6中相似的电路来丈量总的线路电容（C*长度）。SAM或许需求运用比图1.6中更小的电阻，以供给驱动SIMM输入端在其跳变规模所需的电流。
