有些运用需求宽松的输出调理功用以及不到20mA的电流。对这样的运用来说，选用分立组件打造的线性稳压器是一种低成本高效益的解决方案(图1)。而关于具有严厉的输出调理功用并需求更大电流的运用，则可运用高性能的低压差线性稳压器(LDO)。
图1：简略的串联稳压器。
有两个与图1所示电路相关的规划应战。第一个应战是要调理输出电压，第二个应战是要在短路事情中安然无恙。在这篇文章中，笔者将评论如何用分立组件规划稳健的线性稳压器。
下面是一个用来给微控制器供电的示例：
·输入规模：8.4V至12.6V。
·输出规模：1.71V至3.7V。
·最大负载电流：Io_max = 20mA。
双极型NPN晶体管的挑选
NPN双极型晶体管Q1是最重要的组件。笔者首要挑选了这种器材。该晶体管应契合下列要求：
·集电极至发射极和基极至发射极的击穿电压应超越最高输入电压Vin_max。
·集电极最大答应电流应超越最大负载电流Io_max。
除了这两项基本要求之外，运用具有备选封装的组件也是一个好主意。当涉及到功耗时，具有这种灵活性将会简化今后的规划进程。笔者为这种运用挑选了具有备选封装和不同额定功率的NPN晶体管。
下面是笔者所用NPN晶体管的要害特性。
当IC = 50mA时：
直流(DC)电流增益hFE = 60;
集电极-发射极最高饱满电压VCEsat = 300mV;
基极-发射极最高饱满电压VBEsat = 950mV。
齐纳二极管Dz的挑选
输出电压等于反向齐纳电压VZ减去该晶体管基极至发射极电压VBE。因而，最低反向齐纳电压应契合下述要求(方程式1)：
(1)
关于这种运用，笔者选用的一个测验条件是IZT = 1mA，并挑选了一个具有以下特性的齐纳二极管：
当Vo_min = 1.71V且VBE_max= 0.95V时，Vz_min应大于2.65V。
当反向电流IZT = 1mA时，最低反向电压VZ_min = 2.7V。
当反向电流IZT = 5mA时，最高反向电压VZ_max = 3.8V。
基极上拉电阻器RB
电阻器RB可为齐纳二极管和晶体管基极供给电流。在运转条件下，它应供给满足的电流。齐纳二极管反向电流IZ应大于1mA，正如笔者在齐纳二极管Dz的挑选部分所评论的。方程式2可预算出运转所需的最大基极电流：
(2)
其间Hfe_min = 60。因而，IB_max ≈ 0.333mA。
方程式3可计算出RB的值。笔者运用了一个具有1%容差的电阻器。
(3)
故此，RB应小于4.26kΩ。笔者运用了一个具有4.22kΩ规范值的电阻器。
增加一个用于输出调理的虚拟负载电阻器
当负载电流为零时，输出电压到达最大值。当1mA ≤ IZT ≤ 5mA时，VZ最大值为3.8。VBE(on)应大于0.1V，这样该稳压器的输出就能契合要求。此外，笔者还增加了一个虚拟负载电阻器，以便在无负载条件下罗致集电极电流。
图2显现，VBE(on)可作为集电极电流IC的函数。当IC = 0.1mA时，VBE(on) 大于0.3V。
图2：基极-发射极导通电压与集电极电流
方程式4可计算出该虚拟电阻：
(4)
