关于电路来说，浪涌电流是非常影响全体运转功率的一个问题。规划者们想方设法的对浪涌电流进行躲避，因而各式各样的测验办法应运而生。在本文中，小编将为我们介绍一种二极管正向浪涌电流的测验根本电路。
正弦半波脉冲电流的发生
二极管的规范繁复，常见的额外通态电流从数百毫安到数百安培乃至更高，IFSM测验需求的峰值脉冲电流要求到达数十倍的额外通态电流值。规范的测验办法是选用大容量工频变压器，截取市电沟通波形来发生时间常数为10ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲，如图1。
图1正向浪涌电流测验电路
用这种办法发生几百上千安培的正弦脉冲电流，所用到的变压器体积分量都非常可观，装置与运用非常不便利。一些国外公司的产品对浪涌冲击电流波形有特殊要求，比方要求在正向整流电流的基础上再加一个时间常数为10ms或8.3ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲电流，或许要求施加接连两个时间常数为10ms或8.3ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲电流等。显着再选用市电截取的办法，现已很难满意不同器材的测验要求了。
规划思路
大功率场效应管晶体管是一类规范的电压操控电流器材，在VDMOS管的线性作业区内，漏极电流受栅极电压操控：IDS=GFS*VGS。给栅极施加所需求的电压波形，在漏极就会输出相应的电流波形。因而，选用大功率VDMOS管合适用于完成所需的浪涌电流波形，电路办法如图2所示。
图2 VDMOS电流驱动电路
运放组成根本的反向运算电路，驱动VDMOS管的栅极，漏源电流经过VDMOS管源极取样电阻，加到运放反向输入端，与输入波形相加构成反应，运放输出电压操控VDMOS管的栅极电压VGS，从而操控漏极输出电流IDS。这个IDS便是施加给待测二极管(DUT)的正向浪涌电流。
单只VDMOS管的功率和电流扩大才能是有限的，无法到达上千安培的输出电流才能，选用多只并联的办法能够处理这个问题，以到达所需求的峰值电流。常见的衔接办法如图3所示。
图3 VDMOS并联办法
在以上的内容中，本文关于各种浪涌电流冲击测验的要求进行了介绍，而且测验所用的元器材都是常见的一些元器材。测验电路具有体积小分量轻的特色，便利快速组合成测验仪器。在较不稳定环境中进行丈量时的优势较为显着。
