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一种光耦可控硅中电阻触发状况的剖析

在光耦可控硅控制当中,电阻是非常重要的器件。但很多新手在接触光耦可控硅当中的电阻时,都会遇到这样那样的问题。本文就将以一款光耦可控硅为例,为

光耦可控硅操控傍边,电阻是十分重要的器材。但许多新手在触摸光耦可控硅傍边的电阻时,都会遇到这样那样的问题。本文就将以一款光耦可控硅为例,为我们剖析其间的电阻问题,感兴趣的朋友快来看一看吧。

图1

如图1所示,在光耦可控硅驱动可控硅时,这个电阻的效果是什么呢?。一般来说,双向可控硅的触发有4种状况:

T2(或称阳极)+ T1(或称阴极)- G(或称触发极)+;

T2(或称阳极)+ T1(或称阴极)- G(或称触发极)-;

T2(或称阳极)- T1(或称阴极)+ G(或称触发极)+;

T2(或称阳极)- T1(或称阴极)+ G(或称触发极)-;

也就是说,不管双向可控硅两头是沟通电的正半轴,仍是负半周,触发极都可以经过高和低两种状况进行触发,依据这条原理,图1中在MOC3041关断时,假如遇到T2(或称阳极)-T1(或称阴极)+正好满意G(或称触发极)+的话,那么可控硅不是又触发了吗?

这是否意味着当MOC3041不作业时,双向可控硅会在负半周持续作业,相当于单向可控硅的功用?

实际上,G的触发极性是相对于T1来说的。当3041关断时,其细小的漏电流被并联在G和T1间的电阻所旁路,使得其上面的电压很低—-近似等于0,远小于触发所需的电压。所以底子不会产生触发,不管是正半周仍是负半周。

当沟通负半周 即T1+T2-时,G极和T1等电位,不高于T1,也不会低于T1(在3041关断时),所以不会呈现负半周作业的状况。而这个电阻旁路掉3041的漏电流,可以很好的关断可控硅。

经过以上的介绍可以看到,图1中的电阻可以十分顺畅的对漏电流进行屏蔽,并到达关断可控硅的意图。当然,这种剖析仅仅对光耦可控硅电阻使用过程中许多使用方法中的其间一种。还有许多状况是文中未涉及到的,需求我们经过规划来堆集经历。

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