芯朋微抢手产品PN8305M/H同步整流转化器，与该公司PSR产品PN8386合作运用，轻松完结5V3A六级能效电源计划。
1.封装及脚位配置图
PN8386封装及脚位配置图
PN8386集成超低待机功耗准谐振原边操控器及690V高雪崩才能智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反应作业形式，可省掉光耦和TL431。内置高压发动电路，可完结芯片空载损耗(264VAC)小于50mW。
PN8305封装及脚位配置图
PN8305包含同步整流操控器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激体系中代替次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以进步电流输出才能，提高转化功率并下降芯片温度。
2.PCB及DEMO实物图
3.计划典型使用图
4.计划特性
·PCBA尺度：42.5mm*41.3mm*20mm
·输入电压：90~265Vac全电压
·输出电压：5V
·输出电流：3A
·均匀功率：≥81.4%(满意六级能效要求)
·高压发动待机功耗75mW
·发动时刻：200ms(90Vac)
·具有输出短路维护，输出过流维护，输出欠压维护(PCB端3.1V以下)，VDD过压维护，FB分压电阻开路短路维护，以及电流检测电阻Rcs开短路维护，过温维护。
5.测验数据
补白：在CC作业状况下且体系PCB电压低于3.1V时，PN8386会进入维护状况。
6.EMC测验
·EMI传导、辐射满意EN55022 Class B规范要求，裕量均大于6.0dB
·ESD满意IEC61000-4-2，8kV/15kV等级要求
·EFT满意IEC 61000-4-4: 2004，4kV等级要求
·Surge满意IEC 61000-4-5:2005，1kV等级要求
·沟通绝缘满意3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求
7.使用关键
PN8386作业在DCM形式，疏忽传输瞬态Tr和Tf，导通时刻、去磁时刻和振动时刻分别为：
PN8386在T2时刻内直接采样输出电压信号，为减小漏感振动对采样的影响，最小T2时刻应满足长(5V3A使用主张大于3.2us)：
补白：电源在小负载工况下，PN8386的Vcs=0.17V以防止音频噪音。
PN8305须在T2时刻内完结Trench MOSFET的注册和关断，其最小导通时刻由RT电阻设定：
因而，RT电阻主张取值为：
