第一种：雪崩损坏
假如在漏极-源极间外加超出器材额外VDSS的电涌电压，并且到达击穿电压V(BR)DSS (依据击穿电流其值不同)，并超出必定的能量后就产生损坏的现象。
在介质负载的开关运转断开时产生的回扫电压，或许由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额外耐压并进入击穿区而导致损坏的形式会引起雪崩损坏。
典型电路：
第二种：器材发热损坏
由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热
●导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大，导致必定电流下，功耗添加)
●由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗比较极小)
瞬态功率原因：外加单触发脉冲
●负载短路
●开关损耗(接通、断开) *(与温度和作业频率是相关的)
●内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和作业频率是相关的)
器材正常运转时不产生的负载短路等引起的过电流，构成瞬时部分发热而导致损坏。别的，因为热量不般配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，继续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的损坏。
第三种：内置二极管损坏
在DS端间构成的寄生二极管运转时，因为在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运转，导致此二极管损坏的形式。
第四种：由寄生振动导致的损坏
此损坏方法在并联时特别容易产生
在并联功率MOS FET时未刺进栅极电阻而直接衔接时产生的栅极寄生振动。高速重复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg构成的谐振电路上产生此寄生振动。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，因为超出栅极-源极间额外电压导致栅极损坏，或许接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压经过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形堆叠导致正向反应，因而可能会因为误动作引起振动损坏。
第五种：栅极电涌、静电损坏
主要有因在栅极和源极之间假如存在电压浪涌和静电而引起的损坏，即栅极过电压损坏和由上电状况中静电在GS两头(包含装置和和测定设备的带电)而导致的栅极损坏
