同步降压动力总成规划是当今最遍及运用的转化器拓扑结构之一，但为中低压同步降压转化器挑选适宜 的动力总成元件可能是一项艰巨的使命。规划人员有必要从一系列看似无限的器材中挑选功率MOSFET，简略的质量因数(FOM)比较一般不会有最佳的转化能 效或本钱。要纵观大局，假如经过惯例办法测验，有必要运用实践的电路中损耗和能效数据进行比较，这是一个繁琐和耗时的进程。假如经过手艺核算来指定无源元 件，如输出滤波电感、电容器和缓冲器，也会是耗时吃力的。考虑到工程师们所面对的这些应战，安森美半导体开发了一种新式同步降压动力总成规划东西。
完好的动力总成规划和剖析
新的同步降压动力总成规划东西供给完好的动力总成体系的规划和剖析，包含功率MOSFET、输出电感、输出电容和可选的缓冲，所以您能够在更短的时 间完结一个计划。它的作业原理就像电源规划东西Power Supply WebDesigner相同。在几分钟内完结一个规划，只需输入您的体系要求，点击“主动完结”，或在一切的规划过程中运用辅导规划来微调，从损耗和能效 剖析到原理图、物料单(BOM)和规划陈述。具有有用的“信息注释”，无需参阅运用注释。建依据咱们用于分立元件剖析的FETBench ，支撑单、双级 对称和双级不对称(功率级)装备的达250V BVDSS的MOSFET。至于终究的灵活性方面，您依然能够结合任何您想用的控制器或驱动器来运用。
快速“主动规划”或分步微调
同步降压动力总成东西经过辅导的器材挑选，主动查找MOSFET的归纳数据库，并引荐满意您的体系要求的高边和低边开关。用户能够从适宜器材的预排 序列表中任选另一个FET。能够简略和迅速地在所选表格的右边对用于不同的高边和低边FET的参数数据、损耗和结温进行比较。完结动力总成，引荐和挑选一 个真实的电感器编码，并依据体系要求指定输出%&&&&&%器。最终，还能够指定用于开关节点的R-C缓冲器。
易于比照MOSFET数据和功能
新的同步降压型动力总成规划东西具有进步的精度，经过MOSFET的损耗核算，包含迭代的Rds(on)比照温度的影响和可选的定制热阻抗来调整您 的印刷电路板规划。能够输入您的首选控制器/驱动器数据，如独立的凹凸边门极驱动电压、源/汲电阻、延迟时间和门阻尼电阻以完成更高的精度。
此东西供给更具体的损耗和能效剖析，如发生MOSFET损耗的明细(传导、开关、反向恢复等)。动力总成总损耗可按各元件剖析，并为各种不同的输入和负载条件供给损耗和能效图。
MOSFET损耗明细
