三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种操控电流的半导体器材其效果是把弱小信号扩大成起伏值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体根本元器材之一，具有电流扩大效果，是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分红三部分，中心部分是基区，两边部分是发射区和集电区，摆放方法有PNP和NPN两种。
三极管的创造
1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔试验室里，3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在严重而又有条有理地做着试验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声响信号扩大的试验。3位科学家惊讶地发现，在他们创造的器材中通过的一部分微量电流，居然能够操控另一部分流过的大得多的电流，因而发生了扩大效应。这个器材，便是在科技史上具有划时代意义的效果——晶体管。因它是在圣诞节前夕创造的，并且对人们未来的日子发生如此巨大的影响，所以被称为“献给国际的圣诞节礼物”。这3位科学家因而一起荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
晶体管促进并带来了“固态革新”，然后推动了全球范围内的半导体电子工业。作为首要部件，它及时、普遍地首先在通讯东西方面得到运用，并发生了巨大的经济效益。因为晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模%&&&&&%应运而生，这样制作像高速电子计算机之类的高精密设备就变成了实践。
三极管的意义
三极管（也称晶体管）在中文意义里边仅仅对三个引脚的扩大器材的总称，咱们常说的三极管，可能是如图所示的几种器材。
能够看到，尽管都叫三极管，其实在英文里边的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里边“三极管”这个词汇的仅有英文翻译，这是和电子三极管最早呈现有联系的，所以先入为主，也是真实意义上的三极管这个词开始所指的物品。其他的那些被中文里叫做三极管的东西，实践翻译的时分是肯定不能够翻译成Triode的，不然就费事大咯，谨慎地说，在英文里边根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar JuncTIon Transistor）
J型场效应管 JuncTIon gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET （ Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor）英文全称
V型槽场效应管 VMOS （VerTIcal Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也能够总称为单极晶体管（Unipolar JuncTIon Transistor）
其间J型场效应管对错绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管
VMOS是在 MOS的基础上改善的一种大电流，高扩大倍数（跨道）新式功率晶体管，差异便是运用了V型槽，使MOS管的扩大系数和作业电流大幅提高，可是一起也大幅增加了MOS的输入%&&&&&%，是MOS管的一种大功率改善型产品，可是结构上现已与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只要增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管
理论原理
晶体三极管（以下简称三极管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构方法，但运用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其间，N表明在高纯度硅中参加磷，是指替代一些硅原子，在电压影响下发生自由电子导电，而p是参加硼替代硅，发生很多空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其作业原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流扩大原理。
关于NPN管，它是由2块N型半导体中心夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间构成的PN结称为发射结，而集电区与基区构成的PN结称为集电结，三条引线别离称为发射极e （Emitter）、基极b （Base）和集电极c （Collector）。如下图所示
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状况，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状况，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制作三极管时，有意识地使发射区的大都载流子浓度大于基区的，一起基区做得很薄，并且，要严厉操控杂质含量，这样，一旦接通电源后，因为发射结正偏，发射区的大都载流子（电子）及基区的大都载流子（空穴）很容易地跳过发射结互相向对方分散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流根本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
因为基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分跳过集电结进入集电区而构成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb从头补给，然后构成了基极电流Ibo.依据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这便是说，在基极弥补一个很小的Ib，就能够在集电极上得到一个较大的Ic，这便是所谓电流扩大效果，Ic与Ib是保持必定的份额联系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1–称为直流扩大倍数，
集电极电流的改变量△Ic与基极电流的改变量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β–称为沟通电流扩大倍数，因为低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了便利起见，对两者不作严厉区别，β值约为几十至一百多。
α1=Ic/Ie（Ic与Ie是直流通路中的电流巨细）
式中：α1也称为直流扩大倍数，一般在共基极组态扩大电路中运用，描绘了射极电流与集电极电流的联系。
α =△Ic/△Ie
表达式中的α为沟通共基极电流扩大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。
关于两个描绘电流联系的扩大倍数有以下联系
三极管的电流扩大效果实践上是使用基极电流的细小改变去操控集电极电流的巨大改变。
三极管是一种电流扩大器材，但在实践运用中常常通过电阻将三极管的电流扩大效果转变为电压扩大效果。
扩大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub通过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的大都载流子（自由电子）不断地跳过发射结进入基区，构成发射极电流Ie。一起基区大都载流子也向发射区别散，但因为大都载流子浓度远低于发射区载流子浓度，能够不考虑这个电流，因而能够以为发射结首要是电子流。
2、基区中电子的分散与复合
电子进入基区后，先在接近发射结的邻近密布，逐渐构成电子浓度差，在浓度差的效果下，促进电子流在基区中向集电结分散，被集电结电场拉入集电区构成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，分散的电子流与复合电子流之份额决议了三极管的扩大才能。
3、集电区搜集电子
因为集电结外加反向电压很大，这个反向电压发生的电场力将阻挠集电区电子向基区别散，一起将分散到集电结邻近的电子拉入集电区然后构成集电极主电流Icn。别的集电区的少量载流子（空穴）也会发生漂移运动，流向基区构成反向饱和电流，用Icbo来表明，其数值很小，但对温度却反常灵敏。
三极管的分类
1、原料区分
按原料区分，三极管可分为硅管原料的三极管和锗管原料的三极管两种。
2、依照结构区分
依照结构区分，三极管可分NPN型三极管和PNP型三极管两种。
3、依照功用区分
依照功用区分，三极管可分为开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。
4、依照功率区分
依照功率区分，三极管可分为小功率管、中功率管、大功率管三种。
5、依照作业频率分
依照作业频率分，三极管可分为低频管、高频管、超频管三种。
6、依照结构工艺分
依照结构工艺分，三极管可分为合金管、平面管两种。
7、依照装置方法分
依照装置方法分，三极管分为插件三极管、贴片三极管两种。
