LED 芯片的制造进程可概分为晶圆处理工序（Wafer FabricaTIon）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测验工序（IniTIal Test andFinal Test）等几个进程。其间晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测验工序为后段（Back End）工序。
1、晶圆处理工序
本工序的首要作业是在晶圆上制造电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序一般与产种类类和所运用的技能有关，但一般根本进程是先将晶圆恰当清洗，再在其外表进行氧化及化学气相堆积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等重复进程，终究在晶圆上完成数层电路及元件加工与制造。
2、晶圆针测工序
经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般状况下，为便于测验，进步功率，同一片晶圆上制造同一种类、规范的产品；但也可依据需求制造几种不同种类、规范的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗独自的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则放弃。
3、构装工序
便是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚衔接，以作为与外界电路板衔接之用，最终盖上塑胶盖板，用胶水封死。其意图是用以维护晶粒防止遭到机械刮伤或高温损坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即咱们在电脑里能够看到的那些黑色或褐色，两头或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。
4、测验工序
芯片制造的最终一道工序为测验，其又可分为一般测验和特别测验，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测验其电气特性，如耗费功率、运转速度、耐压度等。经测验后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特别测验则是依据客户特别需求的技能参数，从附近参数规范、种类中拿出部分芯片，做有针对性的专门测验，看是否能满意客户的特别需求，以决议是否须为客户规划专用芯片。经一般测验合格的产品贴上规范、类型及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未经过测验的芯片则视其到达的参数状况定作降级品或废品。
LED芯片的制造工艺流程：
外延片→清洗→镀通明电极层→通明电极图形光刻→腐蚀→去胶→渠道图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 堆积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切开→芯片→制品测验。
LED芯片的制造工艺流程
其实外延片的出产制造进程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开端对LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开端用激光机切开LED 外延片（曾经切开LED 外延片首要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同方位抽取九个点做参数测验。
1、首要对电压、波长、亮度进行测验，能契合正常出货规范参数的晶圆片再持续做下一步的操作，假如这九点测验不契合相关要求的晶圆片，就放在一边别的处理。
2、晶圆切开成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要运用扩大30 倍数的显微镜下进行目测。
3、接着运用全自动分类机依据不同的电压，波长，亮度的猜测参数对芯片进行全自动化选择、测验和分类。
4、最终对LED 芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000 粒芯片，但有必要保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000 粒，芯片类型、批号、数量和光电丈量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的反面。蓝膜上的芯片将做最终的目检测验与第一次目检规范相同，保证芯片摆放规整和质量合格。这样就制成LED 芯片（现在市场上总称方片）。在LED 芯片制造进程中，把一些有缺点的或许电极有磨损的芯片，分捡出来，这些便是后边的散晶，此刻在蓝膜上有一些不契合正常出货要求的晶片，也就天然成了边片或毛片等。
方才谈到在晶圆上的不同方位抽取九个点做参数测验，关于不契合相关要求的晶圆片作别的处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED 方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也便是现在市场上的LED 大圆片（可是大圆片里也有好东西，如方片）。
