使用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来规划防反接维护电路，因为功率MOS管的内阻很小，处理了现有选用二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的问题。
防反接维护电路
1，通常情况下直流电源输入防反接维护电路是使用二极管的单向导电性来完成防反接维护。如下图1示：
这种接法简略牢靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额外值到达2A，如选用Onsemi的快速康复二极管 MUR3020PT，额外管压降为0.7V，那么功耗至少也要到达：Pd＝2A&TImes;0.7V＝1.4W，这样功率低，发热量大，要加散热器。
2，别的还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永久有正确的极性（图2）。这些计划的缺陷是，二极管上的压降会耗费能量。输入电流为2A时，图1中的电路功耗为1.4W，图2中电路的功耗为2.8W。
图1，一只串联二极管维护体系不受反向极性影响，二极管有0.7V的压降
图2 是一个桥式整流器，不论什么极性都可以正常作业，但是有两个二极管导通，功耗是图1的两倍。
使用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来规划防反接维护电路，因为功率MOS管的内阻很小，处理了现有选用二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的问题。
MOS管型防反接维护电路
图3使用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来规划防反接维护电路，因为功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFET Rds（on）现已可以做到毫欧级，处理了现有选用二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的问题。
极性反接维护将维护用场效应管与被维护电路串联衔接。维护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极别离衔接被维护电路 的接地端和电源端，其漏极衔接被维护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS，其栅极和源极别离衔接被维护电路的电源端和接地端，其漏极衔接被维护电路中 NMOS元件的衬底。一旦被维护电路的电源极性反接，维护用场效应管会构成断路，避免电流焚毁电路中的场效应管元件，维护全体电路。
详细N沟道MOS管防反接维护电路电路如图3示。
图3. NMOS管型防反接维护电路
N 沟道MOS管经过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管供给电压偏置，使用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，然后避免电源反接 给负载带来损坏。正接时分，R1供给VGS电压，MOS饱满导通。反接的时分MOS不能导通，所以起到防反接效果。功率MOS管的Rds（on）只要 20mΩ实践损耗很小，2A的电流，功耗为（2&TImes;2）&TImes;0.02=0.08W底子不必外加散热片。处理了现有选用二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过 大的问题。
VZ1为稳压管避免栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。
NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。
PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。
