第一种驱动电路EXB841/840
EXB841作业原理如图1,当EXB841的14脚和15脚有10mA的电流流过1us今后IGBT正常注册，VCE下降至3V左右，6脚电压被胁迫在8V左右，由 于VS1稳压值是13V,所以不会被击穿，V3不导通，E点的电位约为20V,二极管VD,截止，不影响V4和V5正常作业。
当14脚和15脚无电流流过，则V1和V2导通，V2的导通使V4截止、V5导通，IGBT栅极电荷经过V5敏捷放电，引脚3电位下降至0V,是IGBT 栅一 射间接受5V左右的负偏压，IGBT牢靠关断，一同VCE的敏捷上升使引脚6“悬空”.C2的放电使得B点电位为0V,则V S1依然不导通，后续电 路不动作，IGBT正常关断。
如有过流发生，IGBT的V CE过大使得VD2截止，使得VS1击穿，V3导通，C4经过R7放电，D点电位下降，从而使IGBT的栅一射间的电压UGE下降 ,完结慢关断，完结对IGBT的维护。由EXB841完结过流维护的进程可知，EXB841断定过电流的主要依据是6脚的电压，6脚的电压不只与VCE 有关，还和二极管VD2的导通电压Vd有关。
典型接线办法如图2,运用时留意如下几点：
a、 IGBT栅-射极驱动回路往复接线不能太长(一般应该小于1m)，而且应该选用双绞线接法，避免搅扰。
b、 因为IGBT集电极发生较大的电压尖脉冲，添加IGBT栅极串联电阻RG有利于其安全作业。可是栅极电阻RG不能太大也不能太小，假如 RG增大，则注册关断时刻延伸，使得注册能耗添加;相反，假如RG太小，则使得di/dt添加，简单发生误导通。
c、 图中电容C用来吸收由电源衔接阻抗引起的供电电压改变，并不是电源的供电滤波电容，一般取值为47 F.
d、 6脚过电流维护取样信号衔接端，经过快康复二极管接IGBT集电极。
e、 14、15接驱动信号，一般14脚接脉冲构成部分的地，15脚接输入信号的正端，15端的输入电流一般应该小于20mA,故在15脚前加限流 电阻。
f、 为了确保牢靠的关断与导通，在栅射极加稳压二极管。
第二种 M57959L/M57962L厚膜驱动电路
M57959L/M57962L厚膜驱动电路选用双电源(+15V,-10V)供电，输出负偏压为-10V,输入输出电平与 TTL电平兼容，配有短路/过载维护和 关闭性短路维护功用，一同具有延时维护特性。其别离合适于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其 以下的 IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时，驱动效果和各项功用体现优秀，但当其作业在高频下时，其脉冲前后沿变的较差，即信 号的最大传输宽度受到限制。且厚膜内部选用印刷电路板规划，散热不是很好，简单因过热形成内部器材的焚毁。
日本三菱公司的M57959L集成IGBT专用驱动芯片它能够作为600V/200A或许1200V/100A的IGBT驱动。其最高频率也达40KHz,选用双电源 供电(+15V和-15V)输出电流峰值为±2A,M57959L有以下特色：
(1) 选用光耦完结电器阻隔，光耦是快速型的，合适20KHz左右的高频开关运转，光耦的原边已串联限流电阻，可将5V电压直接加到输入 侧。
(2) 假如选用双电源驱动技能，输出负栅压比较高，电源电压的极限值为+18V/-15V,一般取+15V/-10V.
(3) 信号传输推迟时刻短，低电平-高电平的传输延时以及高电平-低电平的传输延时时刻都在1.5μs以下。
(4) 具有过流维护功用。M57962L经过检测IGBT的饱满压降来判别IGBT是否过流，一旦过流，M57962L就会将对IGBT施行软关断，并输出过 流毛病信号。
(5) M57959的内部结构如图所示，这一电路的驱动部分与EXB系列相仿，可是过流维护方面有所不同。过流检测仍选用电压采样，电路特 点是选用栅压缓降，完结IGBT软关断，
避免了关断中过电压和大电流冲击;别的，在关断进程中，输入操控信号的状况失掉效果，既维护关 断是在关闭状况中完结的。当维护开始时，当即送出毛病信号，意图是堵截操控信号，包含电路中其它有源器材。
第三种 2SD315A集成驱动模块
集成驱动模块选用+15V单电源供电，内部集成有过流维护电路，其最大的特色是具有安全性、智能性与易用性。2SD315A能输出很大的峰 值电流(最大瞬时输出电流可达±15A)，具有很强的驱动才能和很高的阻隔电压才能(4000V)。2SD315A具有两个驱动输出通道，合适于驱 动等级为1200V/1700V极端以上的两个单管或一个半桥式的双单元大功率IGBT模块。其间在作为半桥驱动器运用的时分，能够很方便地 设置死区时刻。
2SD315A内部主要有三大功用模块构成，别离是LDI(Log%&&&&&% To Driver Interface,逻辑驱动转化接口)、IGD(Intelligent Gate Driver,智能门极驱动)和输入与输出互相绝缘的DC/DC转化器。当外部输入PWM信号后，由LDI进行编码处理，为确保信号不受外界条件的 搅扰，处理过的信号在进入IGD前需用高频阻隔变压器进行电气阻隔。从阻隔变压器另一侧接纳到的信号首先在IGD单元进行解码，并把 解码后的PWM信号进行扩大(±15V/±15A)以驱动外接大功率IGBT.当智能门极驱动单元IGD内的过流和短路维护电路检测到IGBT发生过 流和短路毛病时，由封闭时刻逻辑电路和状况承认电路发生相应的呼应时刻和封闭时刻，并把此刻的状况信号进行编码送到逻辑操控单 元LDI.LDI单元对传送来的IGBT作业状况信号进行解码处理，使之在操控回路中得以处理。为避免2SD315A的两路输出驱动信号互相搅扰 ,由DC/DC转化器供给互相阻隔的电源供电。
2SD315运用时留意事项：
a、作业形式
驱动模块的形式挑选端MOD外接+15V电源，输入引脚RC1和RC2接地，为直接作业形式。逻辑操控电平选用+15V,信号输入管脚InA、InB连 接在一同接纳来自单片机的 脉冲信号。2SD315A的SO1和SO2两只管脚输出通道的作业状况。当MOD接地时，MOD接地。一般半桥形式都是驱动一个直流母线上的一个桥臂，为 避免上下桥臂直通有必要设置死区时刻，在死区时刻里两个 管子一同关断。因而，RC 1, RC2端子有必要依据要求外接RC网络来发生死区时刻，死区时刻一般能够从100n,到几个ms.图中所示的RC 1, RC2别离衔接lOk.的电阻和100pF的%&&&&&%，这样发生的死区时刻大约是500ns.
b、端口VL/Reset
这个端子是用来界说具有施密特性质的输入InA和InB的，使得输入在2/3VL时注册，在I/3 VL时作为关断信号。当PWM信号是TTL电平常， 该端子衔接如图3-5所示，当输入InA和InB信号为15V的时分，该端子应该经过一个大约1K左右的电阻衔接到++15V电源上，这样敞开和关 断电压别离应该是lov和5V.别的，输入UL/Reset端还有别的的功用：假如其接地，则逻辑驱动接口单元l.DI001内的错误信息被铲除。
c、门极输出端
门极输出Gx端子接电力半导体的门极，当SCALE驱动器用15V供电的时分，门极输出土15V.负的门极电压由驱动器内部发生。运用如图3-6 结构的电路能够完结注册和关断的速度的不一样，添加了用户运用的灵活性。
d、布局和布线
驱动器应该尽可能近的和功率半导体放在一同，这样从驱动器到电力晶体管的引线就会尽可能的短，一般来说驱动器的连线尽量不要长 过10厘米。一同一般要求到集电极和发射极的引线选用绞合线，还有能够在IGBT的门极和发射极之间衔接一对齐纳稳压二极管(15~18V) 来维护IGBT不会被击穿。
驱动模块的形式挑选端MOD外接+15V电源，输入引脚RC1和RC2接地，为直接作业形式。逻辑操控电平选用+15V,信号输入管脚 InA、InB连 接在一同接纳来自单片机的脉冲信号，进行同步操控。2SD315A的SO1和SO2两只管脚外接三极管和光耦用来向单片机输出两输出通道的 作业状况，其输出端结构皆为集电极开路输出，能够经过外接上拉电阻以适用于各种电平逻辑。在管脚SO1、SO2和电源之间，以及VisoX 和LSX之间加发光二极管进行毛病指示。正常情况下SO1和SO2输出皆为高电平，上电后D3和D4先亮，延时几秒后平息，一同D8和D15发亮。
当检测到毛病信号时，SO1和SO2的输出电平被拉低到地，即D3和D4发亮，一同D8和D15闪耀。2SD315A是经过监测 UCE(sat)来判别回路是否 短路和过流，当检测到一路或两路发生过流现象时，检测电路会把反常状况回馈到驱动模块，驱动模块内部会发生一个毛病信号并将它 锁存，锁存时刻为1s,在这段时刻内，驱动模块不再输出信号，而是将两组IGBT及时关断予以维护。一同，状况输出管脚SO1和SO2的高电平 被拉低，光耦TLP521导通，两路状况信号经过或门74LS32送给单片机。为避免因关断速度太快在IGBT的集电极上发生很高的反电动势，在 门极输出端选用如图3.11所示的电路结构完结注册和关断速度的不同。注册时门极电阻为3.4Ω，关断时电阻为6.8Ω，二极管选用快恢 复型，这样就使关断速度下降到安全水平。这是一张缩略图，点击可扩大。按住CTRL,翻滚鼠标滚轮可自在缩放。
