富士通半导体（上海）有限公司日前宣告，成功推出具有1 Mb内存的FRAM产品—MB85RS1MT。因为该器材选用晶圆级芯片尺度封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09&TImes; 2.28 &TImes; 0.33 mm，一举成为业界具有SPI接口的、尺度最小的1 Mb FRAM器材。
MB85RS1MT为智能可穿戴设备供给了抱负的内存器材的挑选，除了可让终端运用产品的全体体积变小之外，更可让整个体系在写入数据时将功耗降至最低，以延伸体系工作时间。
智能可穿戴设备是当下的商场热门，并以惊人的速度快速浸透和开展。智能可穿戴设备运用包含规模宽广且品种繁复，包含智能眼镜、头戴式显示器、荫蔽式助听器和智能脉搏计等，以及可记载卡路里消耗量和运算数据的活动记载器如智能手环等。而在这些很多智能可穿戴设备傍边，继续的实时记载数据亦是必备的。
图一：SOP封装及WL-CSP外观
与一般的非挥发性内存如EEPROM和闪存（Flash）等比较，富士通FRAM可确保有一万亿次写入/擦除 （write/erase） 周期，它的写入速度为前者的1000倍以上，而功耗仅为其1/1000-1/100000，FRAM的运用寿命更是超越EEPROM和Flash10000倍以上，是实时存储数据的抱负挑选。
图二：SOP封装及WL-CSP封装体积比较
为了在更广泛的运用中进一步扩展的FRAM快速读写、高可靠性和低功耗的特色，富士通半导体在为1MB FRAM器材选用SOP封装之后，更推出了其全新WL-CSP封装版别（见图一）。在选用WL-CSP封装后，MB85RS1MT的体积仅为3.09 &TImes; 2.28 &TImes; 0.33 mm，比SOP封装体积小了95%（见图二）—其面积比SOP封装小了77%（见图三），其厚度仅相当于信用卡厚度的一半（见图四）。
图三：SOP封装及WL-CSP封装面积比较
图四：SOP封装及WL-CSP封装厚度比较
低功耗作业是FRAM很多长处之一。相较于一般运用的EEPROM非挥发性内存，FRAM写入数据的速度也比较快，因而可在写入数据时大幅下降功耗（如图五）。基于此原因，为了实时记载而需经常性写入数据的穿戴式设备在选用此FRAM后，可具有更佳电池续航力和更小体积的优势。
图五：写入时功耗量比较
富士通半导体自1999年开端量产FRAM产品以来，已将上述产品特性广泛运用在工厂自动化设备、测验仪器、金融终端机及医疗设备等范畴。此次选用WL-CSP封装的MB85RS1MT器材的推出，则将其运用范畴延展到智能可穿戴设备运用傍边，为客户供给更小、更薄和功用更丰厚的产品，并大幅延伸待机时间。
更多的富士通半导体产品信息：
富士通半导体网站：http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/
FRAM产品网站：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/
MB85RS1MT：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/standalone/1m-spi-wlp.html
MB85RS1MT数据：http://edevice.fujitsu.com/cgi-bin/document/document_search.cgi？LANG=ENPARTNO=MB85RS1MTDOCTYPES=D02，D05
