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行车记录仪中的RAM存储,你了解多少?

行车记录仪中的RAM存储,你了解多少?-作为FRAM(铁电存储器)产品与技术的全球领先提供商,富士通电子的FRAM产品广泛应用于计量、RFID、医疗电子、工业……其实,FRAM还可在大多数汽车子系统中

作为FRAM(铁电存储器)产品与技能的全球抢先供给商,富士通电子的FRAM产品广泛运用于计量、RFID、医疗电子、工业……其实,FRAM还可在大多数轿车子体系中用于非易失性数据记载,如智能安全气囊、安稳操控、动力传动组织、外表盘外表、电池办理、发动机操控和文娱信息节目运用,且能够接受更高等级的温度规模。

FRAM经过了AEC-Q100认证,具有高功能和高可靠性,适用于3级(-40℃ ~+85℃)和1级 (-40℃ ~ +125℃)轿车运用。高可靠性以及简直无限次(100万亿)写周期,使其成为新一代轿车运用——高燃油功率、增强的安全特性、高端自动化及操控的最佳挑选之一。今日咱们说说FRAM在行车记载仪中的运用状况。

爱车必备“神器”——行车记载器

行车记载仪在某种程度上类似于飞机和火车中的数据记载器,也被称为轿车“黑匣子”或“磕碰记载器”,开始是用于获取和记载轿车单元内不同操控模块的数据,并运用获取的数据进行剖析,以进步未来规划中安全气囊的功能。获取的数据包含磕碰严峻程度,经过丈量冲击力、车辆速度、引擎转速、转向输入、油门方位、制动状况、安全带状况、轮胎气压、正告信号及安全气囊翻开的记载来获取。

当事端产生时,来自不同方位的多个传感器的确诊信息会发送到行车记载仪,便于行车记载仪内的操控器芯片进行数据解析和起动相应的操控举动。磕碰检测算法会依据传感器输入的数据确认是否翻开安全气囊。磕碰传感运用的猜测算法以各种冲击条件对应的校准值为根底。此猜测算法一般有必要在冲击产生后50毫秒内确认是否翻开安全气囊。下图为典型的行车记载仪框图。

行车记载仪要求以粒度记载数据,这是因为事端重建一般需求每5~8毫秒捕获的数据样本,以出现并复原事端现场。在从各个传感器收集到的数据被新的数据掩盖前,需求存储并保存在循环缓冲区内至少5到10秒。当安全气囊传感体系算法确诊冲击时,缓冲区刷新会暂停,安全气囊翻开并发动。安全气囊翻开时,司机安全带开关状况、乘客安全气囊开关状况、正告灯状况及翻开时刻会被暂时捕获并存储在RAM内。用来确认是否翻开安全气囊的要害参数值也捕捉到RAM中。履行算法后150ms,RAM中存储的数据会转移到非易失性内存。运用EEPROM时,需求大约700毫秒,以记载一切信息。

为避免重要数据丢掉并保证数据安全地存储在EEPROM中,安全气囊操控模块有必要保证备用电源可继续供给700 ms,以便完整地记载信息。未能供给要求的备用电源时,或许会从数据记载器或EDR中康复不到任何数据。或许产生的一种状况便是电源在磕碰中产生灾难性丢失。在此状况下,安全气囊操控模块备用电源(一般是电容器)会优先用于翻开安全气囊,假如没有剩下电量给记载器,即便安全气囊成功翻开,也不会有数据存储。

一旦安全气囊翻开记载写入非易失性内存,就不能删去、修正或许由服务或事端查询人员清空。一切的存储数据可用恰当的辨认软件和接口硬件康复。

EEPROM不适于轿车运用,why?

与EEPROM和FLASH非易失性内存比较,FRAM在行车记载仪运用上有三大要害优势——

· 关于那些有准确时刻要求的运用来说,FRAM会当即具有非易失性。这些运用在体系产生毛病时,最重要的数据,如数据记载器一般会面临危险。

· FRAM擦写周期为10E+14,而EEROM为10E+6,FLASH为10E+5,。因此,FRAM是数据记载器的抱负挑选,其数据可继续写入。

· FRAM的读写操作功耗低,关于具有独立有限电源如电池或%&&&&&%的运用来说,特别具有高效性。

FRAM更能习惯外界温度,这意味着工作温度升高时,其擦写周期和数据保存更能经受考验。许多EEPROM耐温为85°C,在耐温要求为125°C的轿车运用中,耐擦写才能会降到10E + 5,因此不适于轿车运用。

大多数现有的行车记载仪解决方案是将接连数据记载到RAM缓冲区,只要在事端期间触发安全气囊翻开算法时才转移到非易失性内存。因此,假如事端简直丧命,安全气囊没有翻开,且电源缺失,磕碰数据将有或许不会保存到非易失性空间。这样,行车记载仪就没有最终一刻的数据,将无法进行事端复原。因为FRAM能够存储最终一刻磕碰数据,且不需求任何外部电源,因此能够在这种状况下发挥要害作用。

FRAM的要害优势

与传统存储器比较,富士通FRAM在轿车运用方面的要害优势:

· 非易失性

– 即便没有上电,也能够保存所存储的信息。

– 与SRAM比较,无需后备电池(环保产品)

· 更高速度写入

– 像SRAM相同,可掩盖写入

– 不要求改写指令

– 关于擦/写操作,无等待时刻

– 写入循环时刻 =读取循环时刻

– 写入时刻: E2PROM的1/30,000

· 具有更高的读写耐久性

– 保证最大1012次循环(100万亿循环)/位的耐久力

– 耐久性:超越100万次的 E2PROM

· 具有更低的功耗

– 不要求选用充电泵电路

– 功耗:低于1/400的E2PROM

FRAM与其它存储器产品特性PK

定论

比较于其他商场,轿车商场更为重视技能老练度。EEPROM和Flash技能易于了解,且已在首要供给商建立了质量操控根底设施。一般,面临新引进的技能,人们总是迟迟不肯采用,技能人员有必要在对其可靠性和可用性定心无忧后才乐意采纳举动。现在,FRAM在轿车行业的出售数量已超越5亿台,技能已适当老练,轿车行业的客户完全能够对此定心无忧。

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