存储器芯片测验介绍
存储器芯片是在特定条件下用来存储数字信息的芯片。存储的信息可所以操作代码，数据文件或许是二者的结合等。依据特性的不同，存储器可以分为以下几类，如表1所示：
存储器术语的界说
在评论存储器芯片测验之前，有必要先界说一些相关的术语。
写入康复时刻(Write Recovery Time):一个存储单元在写入操作之后和正确读取之前中心有必要等候的时刻。
坚持时刻(Hold Time):输入数据电平在锁存时钟之后有必要坚持的时刻距离。
Pause Test:存储器内容坚持时刻的测验。
改写时刻(Refresh Time):存储器改写的最大时刻距离。
树立时刻(Setup Time):输入数据电平在锁存时钟之前有必要安稳坚持的时刻距离。
上升和下降时刻(Rise and Fall Times)：功用速度测验是经过重复地进行功用测验，一起改动芯片测验的周期或频率来完结的。测验的周期一般运用二进制查找的方法来进行改动。这些测验可以测出芯片的最快运转速度。
写入康复(Write Recovery):一个存储单元在写入操作之后和下一个存储单元能正确读取之前中心有必要等候的时刻。
读取时刻(Access time):一般是指在读使能，片选信号或地址改动到输出端输出新数据的所需的最小时刻。读取时刻取决于存储器读取时的流程。
存储器芯片测验中的功用测验
存储器芯片有必要经过许多必要的测验以确保其功用正确。这些测验首要用来确保芯片不包括一下类型的过错：
存储单元短路：存储单元与电源或许地段路
存储单元开路：存储单元在写入时状况不能改动相邻单元短路：依据不同的短路状况，相邻的单元会被写入相同或相反的数据地址
开路或短路：这种过错引起一个存储单元对应多个地址或许多个地址对应一个存储单元。这种过错不容易被检测，由于咱们一次只能查看输入地址所对应的输出呼应，很难确定是哪一个物理地址被真实读取。
存储单元搅扰：它是指在写入或许读取一个存储单元的时分或许会引起它周围或许相邻的存储单元状况的改动,也便是状况被搅扰了。
存储器芯片测验时用于过错检测的测验向量
测验向量是施加给存储器芯片的一系列的功用，即不同的读和写等的功用组合。它首要用于测验芯片的功用过错。常用的存储器测验向量如下所示，别离介绍一下他们的履行方法以及测验意图.
全”0”和全”1”向量: 4n行向量履行方法：对一切单元写”1”再读取验证一切单元。对一切单元写”0”再读取验证一切单元。
意图：查看存储单元短路或许开路过错。也能查看相邻单元短路的问题。
棋盘格(Checkerboard)向量：4n行向量
履行方法：先运转0-1棋盘格向量，也便是第一个单元写1，第二个单元写0，第三个单元再写1，依此类推，直到最终一个单元，接下来再读取并验证一切单元。再运转一个1-0棋盘格向量，便是对一切单元写入跟0-1棋盘格彻底相反的数据，再读取并验证一切单元。
意图：这是功用测验，地址解码和单元搅扰的一个最根本最简略的测验向量。它还能查看接连地址过错或许搅扰过错，也一般用它作为时刻丈量时的向量。
Patterns Marching向量：5n行向量
履行方法：先对一切单元写0.读取第一个单元，再对第一个单元写1。再读取第二个单元，再对第二个单元写1，依此类推，直到最终一个单元。最终再重复上述操作，仅仅写入数据相反。
意图：这是功用测验，地址解码和单元搅扰的一个最根本最简略的测验向量。它还能查看接连地址过错或许搅扰过错，也一般用它作为时刻丈量时的向量。
Walking向量:2n^2 行向量
履行方法：先对一切单元写0,再读取一切单元。接下来对第一个单元写1，读取一切单元，读完之后把第一个单元写回0。再对第二个单元写1，读取一切单元，读完之后把第二个单元写回0。顺次类推，重复到最终一个单元。等上述操作完结之后，再重复上述操作，只不过写入的数据相反。
意图：查看一切的地址解码过错。它的缺陷是它的运转时刻太长。假定读写周期为500ns，对一个4K的RAM进行wakling向量测验就需求16秒的测验时刻。假如知道存储器的结构，咱们可以只进行行或许列的walking以削减测验时刻。
Galloping写入康复向量：12^2n行向量
履行方法：对一切单元写0。再对第一个单元写1（根本单元），读取第二个单元, 然后返回来读取第一个单元。再对第二个单元写0，读第二个单元。接下来再在其它一切单元和根本单元之间重复这个操作。等第一个单元作为根本单元的操作完结之后，再把第二个单元作为根本单元，再作相同的操作。依此类推，直到一切单元都被当过根本单元。最终，再重复上述进程，但写入数据相反。
意图：这是功用测验，地址解码测验和搅扰测验一个极好的向量。假如挑选恰当的时序，它还可以很好地用于写入康复测验。一起它也能很好地用于读取时刻测验。
其他的测验向量都类似于以上这些向量，都根据相同的中心理念。
动态随机读取存储器(DRAM)
动态随机读取存储器( DRAM)的测验有以下的一些特殊要求：
1.行地址和列地址在相同的地址线上输入（队伍地址复用）。他们别离经过RAS和CAS信号来锁存。
2.需求在固定的时刻距离内对芯片进行改写。
3.DRAM可以进行页操作。因而需求坚持行地址不变而改动列地址（或许相反）。
逻辑测验介绍
逻辑芯片功用测验用于确保被测器材可以正确完结其预期的功用。为了到达这个意图，有必要先创立测验向量或许真值表，才能进检测代测器材的过错。一个真值表检测过错的才能有一个一致的规范，被称作毛病覆盖率。测验向量与测验时序结合在一起组成了逻辑功用测验的中心。
