为了对这儿所示的三种示例进行I－V特性测验，咱们主张运用各种不同的商用I－V特性测验东西。有些源－丈量一体单元还能够更低的本钱供给相同的测验功用，然后供给了一个紧凑的、单通道的DC参数测验仪[1]的功用度。
半导体纳米线被视为一种完成纳米电子元器材[2]（如晶体管或许逻辑门）间互联的办法，现在的研讨是针对硅、砷化镓、氮化镓及其他3－5族资料进行的。研讨者们需求了解，若要让这些线实用化，其电阻率、整体的均匀性、可靠性和电流承载才能终究怎么。由于这些器材十分细小，丈量必须在很弱的电流下进行，这就要求设备能输出和丈量低至nA水平的电流信号。在这样弱的电流上进行电阻丈量，就需求一起选用低压丈量仪器，并用一个4线办法[3]来除掉丈量体系的引线电阻。输出细小的电流也减少了线上的I2R以及对其形成危害的或许性。
针对纳米互联用的聚合物的研讨工作也很可观。由于这些一般是高阻性的资料，它们的电阻往往经过输出电压信号和丈量相应的电流来丈量，这样的电流或许处于fA规模。要确保精度，就必须留意下降和消除测验体系中的任何过大的电流，例如由冲突起电效应[4]、电化学效应[5]、电缆衔接以及静电电荷所形成的噪声。
为了维护纳米级样品不受静电放电的损害，能够运用一个由板状金属或许网格制造的法拉第笼。在一个关闭的、空心的导体中的电场为零，故放入其间的物体将被屏蔽，免受任何大气中的或许杂散的电场的影响。
现在的许多仪器还能够供给必备的电阻丈量功用。关于小电阻丈量而言，具有nV计的、能够供给电流信号并丈量低电压的源－丈量一体单元是恰当的设备。关于高电阻丈量，主张选用静电计和fA以下的信号源－丈量一体单元。最新的I－V特性丈量东西常常能一起丈量低和高电阻，当尽力经过增加更多的导电资料，如碳纳米管，来提升高阻资料[6]的电导率时，这就显得极为有利。
提到资料，许多纳米科学的研讨者正在创制专用纸张或许薄膜类资料，他们需求了解这些研讨目标的外表和体电阻率与电导率特性。相同的，弱电流和高电阻常常是待测的特性。这些丈量需求选用针对扁平资料丈量而规划的专用测验夹具。
丈量电阻，然后考虑到几许尺度等要素，就能够将其转换为外表或许体电阻率，就能够确认资料电阻率参数。丈量绝缘资料的电阻的最佳方法，是向样品施加一个已知的电势，并用静电计或许pA计来丈量相应的电流。
体电阻率用于衡量直接流过一个资料的漏电流。它界说为穿过一个一立方厘米绝缘资料的电阻，单位是欧姆·厘米。在丈量体电阻率时，测验样品被置于两个电极之间，在两个电极间施加一个电势差。所发生的电流散布将穿透整个测验样品的体积，并被一个pA计丈量出来。
外表电阻界说为一个绝缘体的外表的电阻，以欧姆为单位（往往被称为欧姆/方块）。它的丈量办法是，在测验样品的外表上放置两个电极，在电极间施加电势差[7]，并丈量相应的电流。
