（一）晶体管资料与极性的判别
1.从晶体管的类型命名上辨认其资料与极性 国产晶体管类型命名的第二部分用英文字母A“D表明晶体管的资料和极性。其间，“A”代表锗资料PNP型管，“B”代表锗资料NPN型管，“C”代表硅资料PNP型管，“D”代表硅资料NPN型管。
***产晶体管类型命名的第三部分用字母A”D来表明晶体管的资料和类型（不代表极性）。其间，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。一般，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管类型命名的第一部分用字母“A”和“B”表明晶体管的资料（不表明NPN或PNP型极性）。其间，“A”表明锗资料，“B”表明硅资料。
2.从封装外形上辨认晶体管的引脚 在运用权晶体管之前，首先要辨认晶体管各引脚的极性。
不同品种、不同类型、不同功用的晶体管，其引脚摆放方位也不同。经过阅览上述“晶体管的封装外形”中的内容，能够快速辨认也常用晶体管各引脚的极性。
3.用万用表判别晶体管的极性与资料 关于类型标志不清或虽有类型但无法辨认其引脚的晶体管，能够经过万用表测验来判别出该晶体管的极性、引脚及资料。
关于一般小功率晶体管，能够用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔丈量晶体管恣意两个引脚间的正、反向电阻值。
在丈量中会发现：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去别离触摸别的两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此刻，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）衔接的引脚就是基极B，而别外两个引脚为集电极C和发射极E。若基极接的是红表笔，则该管为PNP管;若基极接的是黑表笔，则该管国 NPN管。
也能够先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔触摸，再用另一表笔去别离触摸别的两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚就是基极B，而别的两个引脚为发射极E和集电极C。
找到基极B后，再比较基极B与别的两个引脚之间正向电阻值的巨细。一般，正向电阻值较大的电极为发射极E，正向电阻值较小的为集电极C。
PNP型晶体管，能够将红表笔接基极B，用黑表笔别离触摸别的两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次丈量中，黑表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大的一次丈量中，黑表笔所接的引脚为发射极E。
NPN型晶体管，可将黑表笔接基极B。用红表笔去别离触摸别的两个引脚。在阻值较小的一次丈量中，红表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大一次丈量中，红表笔所接的引脚为发射极E。
经过丈量晶体管PN结的正、反向电阻值，还可判别出晶体管的资料（区分出是硅管仍是锗管）及好坏。一般锗管PN结（B、E极之间或B、C极之间）的正向电阻值为200“500Ω，反向电阻值大于100kΩ;硅管PN结的正向电阻值为3”15kΩ，反向电阻值大于500kΩ。若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判别该管已击穿或开路损坏。
（二）晶体管功能的检测
1.反向击穿电流的检测
一般晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可经过丈量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。丈量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。
正常时，锗资料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ（用 R×10档测）以上。硅资料晶体管的电阻值应大于100kΩ（用R×10k档测），实测值一般为500kΩ以上。
若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则阐明该晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值挨近0，则阐明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值跟着管壳温度的增高而变小许多，则阐明该管的热稳定性不良。
也能够用晶体管直流参数测验表的ICEO档来丈量晶体管的反向击穿电流。测验时，先将hFE/ICEO挑选开关置于ICEO档，挑选晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测验孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。
2.扩大才能的检测
晶体管的扩大才能能够用万用表的hFE档丈量。丈量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚别离刺进相应的测验插孔中（选用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再别离与三个插孔相接），万用表即会指示出该管的扩大倍数。
若万用表无hFE档，则也可运用万用表的R×1k档来估测晶体管扩大才能。丈量PNP管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极E，红表笔接晶体管的集电极C，再在晶体管的集电结（B、C极之间）上并接1只电阻（硅管为100kΩ锗管为20 kΩ），然后调查万用表的阻值改变状况。若万用表指针摇摆起伏较大，则阐明晶体管的扩大才能较强。若万用表指针不变或摇摆幅较小，则阐明晶体管无扩大才能或扩大才能较差。
丈量NPN管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极C，红表笔接晶体管的发射极E，在集电结上并接1只电阻，然后调查万用表的阻值改变状况。万用表指针摇摆起伏越大，阐明晶体管的扩大才能越强。
也能够用晶体管直流参数测验表的hFE/测验功用来丈量扩大才能。丈量时，先将测验表的hFE/ICEO档置于hFE–100档或hFE–300档，挑选晶体管的极性，将晶体管刺进测验孔后，按动相应的hFE键，再从表中读出hFE值即可。
3.反向击穿电压的检测
晶体管的反向击穿电压可运用晶体管直流参数测验表的V（BR）测验功用来丈量。丈量时，先挑选被测晶体管的极性，然后将晶体管刺进测验孔，按动相应的V（BR）键，再从表中读出反向击穿电压值。
关于反向击穿电压低于50V的晶体管，也可用图5-58中所示的电路进行测验。将待测晶体管VT的集电极C、发射极E与测验电路的A端、B端相连（PNP 管的E极接A点，C极接B点;NPN管的E有接B点，C极接A点）后，调理电源电压，当发光二极管LED点亮时，A、B两头之间的电压值便是晶体管的反向击穿电压。
（三）特别晶体管的检测
1.带阻尼行输出管的检测
用万用表R×1档，丈量发射结（基极B与发射极E之间）的正、反向电阻值。正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只要20“50Ω。
用万用表R×1k档，丈量行输出管集电结（基极B与集电极C之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接基极B，红表笔接集电极C）为 3”10kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则阐明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。
用万用表R×1k档，丈量行输出管C、E极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小（6“7 kΩ），反向电阻值为无穷大，若测得C、E极之间的正反向电阻值均很小，则是行输出管C、E极之间短路或阻尼二极管击穿损坏。若测得C、E极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则是阻尼二极管开路损坏。
带阻尼行输出管的反向击穿电压能够用晶体管直流参数测验表丈量，其办法与一般晶体管相同。
带阻尼行输出管的扩大才能（沟通电流扩大系数β值）不能用万用表的hFE档直接丈量，由于其内部有阻尼二极管和维护电阻器。丈量时可内行输出管的集电极C 与基极B之间并接1只30 kΩ的电位器，然后再将行输出管各电极与hFE插孔衔接。恰当调理电位器的电阻值，并从万用表上读出β值。
2.带阻晶体管的检测
因带阻晶体管内部含有1只或2只电阻器，故检测的办法与一般晶体管略有不同。检测之前应先了解管内电阻器的阻值。
丈量时，将万用表置于R×1k档，丈量带阻晶体管集电极C与发射极E之间的电阻值（测NPN管时，应将黑表笔接C极，红表笔接E极;测PNP管时，应将红表笔接C极，黑表笔接E极），正常时，阻值应为无穷大，且在丈量的一起，若将带阻晶体管的基极B与集电极C之间短路后，则应有小于50kΩ的电阻值。不然，可确定为晶体管不良。
也能够用丈量带阻晶体管BE极、CB极及CE极之间正、反向电阻值的办法（应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响）来估测晶体管是否损坏。
3.光敏三极管的检测
光敏三极管只要集电极C和发射极E两个引脚，基极B为受窗口。一般，较长（或挨近管键的一端）的引脚为E极，较短的引脚的C极。达林顿型光敏三极管封装缺圆的一侧为C极。
检测时，先丈量光敏三极管的暗电阻：将光敏三极管的受光窗口用黑纸或黑布遮住，再将万用表置于R×1k档。红表笔和黑表笔别离接光敏三极管的两个引脚。正常时，正、反向电阻均为无穷大。若测出必定阻值或阻值挨近0，则阐明该光敏三极管已漏电或已击穿短路。
丈量光敏三极管的亮电阻：在暗电阻丈量状态下，若将遮挡受光窗口的黑纸或黑布移开，将受光窗口挨近光源，正常时应有15”30kΩ的电阻值。则阐明光敏三极管已开路损坏或灵敏度偏低。
