双数据速率同步动态随机存取存储器。哇！真够拗口的。许多人乃至或许都不知道这个全称；它一般缩写为 DDR 存储器。图 1 是 PC 中运用的 DDR 模块图。在该图中，我在其中一个 DDR 芯片上画了一个红圈。跟着设备日益缩小，现已没有空间或没有必要装置这些完好的模块了，因而，或许只需求在设备的主电路板上直接安放一个或多个这样的芯片。
大多数人很或许没有意识到他们具有多少带 DDR 存储器的产品或设备。一些带 DDR 存储器的设备实例包含：服务器、PC、平板电脑、智能手机、GPS、轿车导航、电视、AV 接收器、电子阅读器、IP 电话以及数字摄像机等。因为 DDR 用途如此广泛，因而运用和要求也会变化无常。
DDR 芯片需求 2 伏电源。VDDQ 和 VTT 是两种电源轨的称号。VTT 电压需求盯梢一半的 VDDQ 电压。此外，VTT 还需求可以源出／吸入电流。VDDQ 一般是开关电源，而 VTT 则可所以开关电源，也可所以线性稳压器。假如将线性稳压器用作 VTT，那就有必要选用能满意源出及吸入电流要求的特别规划类型。Robert Kollman 撰写了一篇非常好的电源技巧文章，愈加翔实地介绍了电源需求的由来。这些电源的电压标准取决于 DDR 芯片类型。现在广泛运用的 DDR 类型有四种（DDR4 行将推出）：
- DDR1：VDDQ = 2.5V、VTT = 1.25V；
- DDR2：VDDQ = 1.8V、VTT = 0.9V；
- DDR3：VDDQ = 1.5V、VTT = 0.75V；
- DDR3LV：VDDQ = 1.35V、VTT = 0.675V。
因为终究产品的规模广泛，因而电源电流有很大不同。服务器的存储器电源或许运用许多的模块并要求 100A 或更大的电流。手机或平板电脑或许需求 1 或 2 个芯片，并且只需求电流额定值为 1A 至 4A 的电源。PowerLab具有许多专门针对 DDR 的规划，下面列举了几款：
PMP6807：运用TPS51216的 3-4.2Vin、4A 1.35Vout (VDDQ)、0.5A 0.675Vout (VTT) DDR3 LV—PMP6807参阅规划运用TPS51216生成低电压 DRR3 电源。VDDQ 电源为 1.35V，支撑 4A 电流。VTT 电源运用源出／吸入 LDO 生成，支撑 0.5A 电流。此外，该规划还可充分利用高性能小型 MOSFET (CSD17313Q2) 为大部分负载规模完成 90% 以上的功率；
PMP6807：运用TPS51116的 12Vin、9A 1.5Vout (VDDQ)、3A 0.75Vout (VTT) DDR3—PMP5225参阅规划运用TPS51116生成 DDR3 电源轨。VDDQ 电源为 1.5V，输出 9A 电流。VTT 电源运用源出／吸入 LDO 生成，支撑高达 3A 的电流。选用 3×3 毫米封装的高功率 MOSFET(CSD16406Q3) 可用于完成小尺度和高性能；
PMP6807：运用TPS40140的 12Vin、80A 1.5V（仅 VDDQ）、DDR3 多相位同步降压转换器—PMP3054规划在四相位同步降压转换器中运用 2 xTPS40140在 12V 输入下生成 80A 1.5V 输出。该规划作业频率为 400KHz，可坚持小尺度；
PMP6807：运用TPS40180的 12Vin、60A 1.8V（仅 VDDQ）、DDR2 多相位同步降压转换器—PMP3060规划在 3 相位同步降压转换器中运用 3 xTPS40180在 12V 输入下生成 60A 1.8V 输出。该规划每相位作业频率为 250KHz，可坚持高功率。
