现在国内大多数选用的长延时热脱扣实验计划是经过变压器直接对断路器施加一个电压以获得测验电流。在测验进程中，因为电网电压的动摇、载流电路中引线电阻改变、负载自身电阻发热改变，使测验电流随之变化，难以满意国家标准的要求。本文介绍了一种功率稳压逆变电源，具有作业安稳牢靠、输入功率因数高、输出精度高、波形失真度小、效率高的长处。
标称功率300W的逆变电源，用于家庭电风扇、电视机，以及日常照明等是不成问题的。300W逆变器，运用12V/60AH蓄电池向上述家用电器供电，一次充满电后，可运用近5小时。不过，即便蓄电池电压足够，发动180立升的电冰箱仍有困难，因发动瞬间输出电压下降为缺乏180V而失利。电冰箱压缩机标称功率多为100W左右，实践发动瞬间电流可达2A以上，若欲使发动瞬间降压不非常显着，有必要将输出功率进步至600VA.如在增大输出功率的一起，选用 PWM稳压体系，可使发动瞬间降压起伏显着减小。不管电风扇仍是电冰箱，使用逆变电源供电时，均应在逆变器输出端增设图1中的LC滤波器，以改善波形，避免脉冲上升沿尖峰击穿电机绕组。
图1
选用双极型开关管的逆变器，基极驱动电流基本上为开关电流的1/β，因而大电流开关电路有必要选用多级扩大，不只使电路复杂化，牢靠性也变差并且跟着输出功率的增大，开关管驱动电流需大于集电极电流的1/β，致使一般驱动IC无法直接驱动。尽管选用多级扩大能够到达意图，可是波形失真却显着增大，然后导致开关管的导通/截止损耗也增大。现在处理大功率逆变电源及UPS的驱动计划，大多选用MOS FET管作开关器材。
MOSFET管的使用
近年来，金属氧化物绝缘栅场效应管的制作工艺飞速开展，使之漏源极耐压（VDS）达kV以上，漏源极电流（IDS）达50A已缺乏为奇，因而被广泛用于高频功率扩大和开关电路中。
除此而外，还有双极性三极管与MOS FET管的混合产品，即所谓IGBT绝缘栅双极晶体管。望文生义，它属MOS FET管作为前级、双极性三极管作为输出的组合器材。因而，IGBT既有绝缘栅场效应管的电压驱动特性，又有双极性三极管饱合压降小和耐压高的输出特性，其关断时刻到达0.4μs以下，VCEO到达1.8kV，ICM到达100A的水平，现在常用于电机变频调速、大功率逆变器和开关电源等电路中。
一般中功率开关电源逆变器常用MOS FET管的并联推挽电路。MOS FET管漏-源极间导通电阻，具有电阻的均流特性，并联使用时不用外加均流电阻，漏源极直接并联使用即可。而栅源极并联使用，则每只MOS FET管有必要选用独自的栅极阻隔电阻，避免各开关管栅极电容并联构成总电容增大，导致充电电流增大，使驱动电压的树立进程被推迟，开关管导通损耗增大。
MOSFET的驱动
近年来，跟着MOSFET生产工艺的改善，各种开关电源、变换器都广泛选用MOS FET管作为高频高压开关电路，可是，专用于驱动MOS FET管的集成电路国内很少见。驱动MOSFET管的要求是，低输出阻抗，内设灌电流驱动电路。所以，一般用于双极型开关管的驱动IC不能直接用于驱动场效应管。
现在就世界范围来说，可直接驱动MOSFET管的IC种类仍不多，单端驱动器常用的是UC3842系列，而用于推挽电路双端驱动器有SG3525A（驱动 N沟道场效应管）、SG3527A（驱动P沟道场效应管）和SG3526N（驱动N沟道场效应管）。但是在开关电源快速开展的近40年中，究竟有了一大批优异的、功用完善的双端输出驱动IC.一起跟着MOSFET管使用遍及，又开发了不少新电路，可将其用于驱动MOSFET管，处理MOSFET的驱动无非包含两个内容：一是下降驱动IC的输出阻抗；二是增设MOSFET管的灌电流通路。为此，无妨回忆SG3525A、SG3527A、SG3526N以及单端驱动器UC3842系列的驱动级。
图2
图2a为上述IC的驱动输出电路（以其间一路输出为例）。振动器的输出脉冲经或非门，将脉冲上升沿和下降沿输出两路时序不同的驱动脉冲。在脉冲正程期间，Q1导通，Q2截止，Q1发射极输出的正向脉冲，向开关管栅极电容充电，使漏-源极很快到达导通阈值。当正程脉冲往后，若开关管栅-源极间充电电荷不能快速放完，将使漏源极驱动脉冲不能当即截止。为此，Q1截止后，或非门当即便Q2导通，为栅源极电容放电供给通路。此驱动办法中，Q1供给驱动电流，Q2供给灌电流（即放电电流）。Q1为发射极输出器，其自身具有极低的输出阻抗。
为了到达上述要求，将一般用于双极型开关管驱动输出接入图2b的外设驱动电路，也能够满意MOS FET管的驱动要求。规划驱动双极型开关管的集成电路，常选用双端图腾柱式输出两路脉冲，即两路输出脉冲极性是相同的，以驱动推挽的两只NPN型三极管。为了让推挽两管轮番导通，两路驱动脉冲的时刻次第不同。假如榜首路输出正脉冲，经截止后，过一死区时刻，第二路方开端输出。两路驱动级选用双极型三极管集射极开路输出，以便于获得不同的脉冲极性，用于驱动NPN型或PNP型开关管。
前级驱动IC内部缓冲器的发射极，在负载电阻R1上树立未倒相的正极性驱动脉冲使三极管Q截止。在驱动脉冲上升沿开端，正极性脉冲经过二极管D加到MOS FET开关管栅-源极，对栅源极电容CGS充电，当充电电压到达开关管栅极电压阈值时，其漏源极导通。正脉冲持续期往后，IC内部缓冲扩大器发射极电平为零，输出端将有必守时刻的死区。此刻，Q的发射极带有CGS充电电压，因而Q导通，CGS经过Q的ec极放电，Q的集电极电流为灌电流通路。R2为开关管的栅极电阻，意图是避免开关管的栅极在Q、D转化进程中悬空，不然其近似无穷大的高输入阻抗极简单被搅扰电平所击穿。选用此办法运用一般双端输出集成电路，驱动MOS FET开关管，能够到达比较抱负的作用。为了下降导通/截止损耗，D应选用快速开关二极管。Q的集电极电流应根据开关管决议，若为了进步输出功率，每路输出选用多只MOS FET管并联使用，则应挑选ICM足够大的灌流三极管和高速开关二极管。
TL494使用
现在一切的双端输出驱动%&&&&&%中，能够说美国德州仪器公司开发的TL494功用最完善、驱动才能最强，其两路时序不同的输出总电流为SG3525的两倍，到达400mA.仅此一点，使输出功率千瓦级及以上的开关电源、DC/DC变换器、逆变器，简直无一例外地选用TL494.尽管TL494规划用于驱动双极型开关管，但是现在绝大部分选用MOS FET开关管的设备，运用外设灌流电路，也广泛选用TL494.为此，本节中将具体介绍其功用及使用电路。其内部方框图如图3所示。其内部电路功用、特色及使用办法如下：
A.内置RC守时电路设定频率的独立锯齿波振动器，其振动频率fo（kHz）=1.2/R（kΩ）。C（μF），其最高振动频率可达300kHz，既能驱动双极性开关管，增设灌电流通路后，还能驱动MOS FET开关管。
B.内部设有比较器组成的死区时刻操控电路，用外加电压操控比较器的输出电平，经过其输出电平使触发器翻转，操控两路输出之间的死区时刻。当第4脚电平升高时，死区时刻增大。
C.触发器的两路输出设有操控电路，使Q1、Q2既可输出双端时序不同的驱动脉冲，驱动推挽开关电路和半桥开关电路，一起也可输出同相序的单端驱动脉冲，驱动单端开关电路。
D.内部两组完全相同的差错扩大器，其同相输入端均被引出芯片外，因而能够自在设定其基准电压，以便使用于稳压取样，或运用其间一种作为过压、过流超阈值维护。
E.输出驱动电流单端到达400mA，能直接驱动峰值电流达5A的开关电路。双端输出脉冲峰值为2×200mA，参加驱动级即能驱动近千瓦的推挽式和桥式电路。
图3
TL494的各脚功用及参数如下：第1、16脚为差错扩大器A1、A2的同相输入端。最高输入电压不超越VCC+0.3V.第2、15脚为差错扩大器 A1、A2的反相输入端。可接入差错检出的基准电压。第3脚为差错扩大器A1、A2的输出端。%&&&&&%内部用于操控PWM比较器的同相输入端，当A1、 A2任一输出电压升高时，操控PWM比较器的输出脉宽减小。一起，该输出端还引出端外，以便与第2、15脚间接入RC频率校对电路和直接负反馈电路，一则安稳差错扩大器的增益，二则避免其高频自激。别的，第3脚电压反比于输出脉宽，也可运用该端功用完成高电平维护。第4脚为死区时刻操控端。当外加1V以下的电压时，死区时刻与外加电压成正比。假如电压超越1V，内部比较器将关断触发器的输出脉冲。第5脚为锯齿波振动器外接守时%&&&&&%端，第6脚为锯齿波振动器外接守时电阻端，一般用于驱动双极性三极管时需约束振动频率小于40kHz.第7脚为接地端。第8、11脚为两路驱动扩大器NPN管的集电极开路输出端。当第8、11脚接Vcc，第9、10脚接入发射极负载电阻到地时，两路为正极性图腾柱式输出，用以驱动各种推挽开关电路。当第8、11脚接地时，两路为同相位驱动脉冲输出。第8、11脚和9、10脚可直接并联，双端输出时最大驱动电流为2×200mA，并联运用时最大驱动电流
