全桥变换器是开关电源的根底拓扑结构之一，其效果显而易见，小编在本文即将共享的这款规划便是选用全桥变换器结构，MOSFET作为开关管来运用，选用移相ZVZCSPWM操控，即超前臂开关管完成 ZVS、滞后臂开关管完成ZCS。
电路结构简图如图1，VT1~VT4是全桥变换器的四只MOSFET开关管，VD1、VD2别离是超前臂开关管VT1、 VT2的反并超快康复二极管，C1、C2别离是为了完成VTl、VT2的ZVS设置的高频，VD3、VD4是反向电流阻断二极管，用来完成滞后臂 VT3、VT4的ZCS，Llk为变压器漏感，Cb为阻断电容，T为主变压器，副边由VD5~VD8构成的高频整流电路以及Lf、C3、C4等滤波器材组成。
图1
电路原理：当开关管VT1、VT4或VT2、VT3一起导通时，电路作业情况与全桥变 换器的硬开关作业形式情况相同，主变压器原边向负载供给能量。经过移相操控，在关断VT1时并不立刻关断VT4，而是依据输出反应信号决议移相角，经过一 定时间后再关断VT4，在关断VT1之前，因为VT1导通，其并联电容C1上电 压等于VT1的导通压降，抱负情况下其值为零，当关断VT1时间，C1开端充电，因为电容电压不能骤变，因而，VT1便是零电压关断。因为变压器漏感 L1k以及副边整流滤波电感的效果，VT1关断后，原边电流不能骤变，持续给Cb充电，一起C2也经过原边放电，当C2电压降到零后，VD2天然导通，这 时注册VT2，则VT2便是零电压注册。当C1充满电、C2放电结束后，因为VD2是导通的，此刻加在变压器原边绕组和漏感上的电压为阻断电容Cb两头电 压，原边电流开端减小，但持续给Cb充电，直到原边电流为零，这时因为VD4的阻断效果，%&&&&&%Cb不能经过VT2、VT4、VD4进行放电，Cb两头电压 保持不变，这时流过VT4电流为零，关断VT4便是零电流关断。
