S5PV210(TQ210)学习笔记——内存装备（DDR2）

S5PV210有两个独立的DRAM操控器，别离是DMC0和DMC1，其间，DMC0最大支撑512MByte，DMC1最大支撑1GByte，而DMC0和DMC1又一起支撑两个片选CS0和CS1。S5PV210的内存模块比较2440和6410来讲要愈加杂乱一些，要想正确的装备S5PV210的内存，应该细心阅览芯片手册相关部分，在装备参数时也应该恰当的阅览下内存芯片的手册。这部分的寄存器和装备进程比较杂乱（可是不难），我只简略的讲一下我装备时遇到的问题。

一 接线原理

我的开发板是TQ210，开发板上有8片128M*8bits的内存芯片，从原理图上能够看到，其间4片并联接在DMC0上，别的四片并联在DMC1上，这儿我只贴出一个链接方法，由于8片都是相同的，仅仅前四片跟后四片挂载的方位不同。

咱们能够留意到，TQ210是将四片K4T1G084QQ的地址线并联，将数据线串联，这样正好是32位数据。别的，咱们还能够看到K4T1G084QQ只接了14根地址线，这是由于K4T1G084QQ有14根行地址，10根列地址，这14根线是复用的。可是K4T1G084QQ有8个bank，而DMC只要两根bank线，为此，S5PV210给出了以下几个处理方案：

依据注释3，咱们能够看到当S5PV210挂载8bank内存时CS1复用为BANK2，这中状况下S5PV210相当于只要一根片选引脚CS0，这样就能够理解了，咱们从这儿也能够知道装备num_chip参数时能够设置为1（经测验设置为2也能够，不过MEMCONFIG1的装备没有意思，由于8bank时只要CS0而没有CS1）。关于8banks且15根行地址的内存芯片也有一套处理方案，所以，必定要留意下面的注释，我其时装备时阅览手册就不行细心，没有看下面的注释，成果卡了我一上午，没有弄理解内存芯片的接线原理，乃至以为开发板接线接错了。

二 地址映射

S5PV210的DMC跟6410和2440的DMC有个重要差异，S5PV210能够操控内存地址映射，DMC0的地址空间为0x2000,0000~0x3fff,ffff，DMC1的地址空间为0x4000,0000~0x7fff,ffff，DMC能够经过装备寄存器来使内存芯片映射到其内存段内的恰当方位。这个装备在MEMCONFIG寄存器中，这个地址映射让我纠结了很长一段时间，最终仍是查资料看理解的。

假定设置chip_base为0x20：

(1)咱们挂载的内存为128M，那么这个chip_mask应该设置为0xF8

(2)咱们挂载256M内存时，chip_mask应该设置为0xF0

(3)咱们挂载512M时，chip_mask应该设置为0xE0

(4)咱们挂载1GB内存时，chip_mask就应该设置为0xC0。

以DMC0为例，当DMC0接纳到来自AXI的0x2000,0000~0x3fff,ffff内的地址时，会作如下处理：

(1)将AXI地址的高8位与chip_mask相与得到成果，记为X。

(2)将X别离与MEMCONFIG0和MEMCONFIG1的chip_base比较较，假定持平，则翻开相应的片选。

假定挂载的内存为128M，且CS0和CS1上别离挂了一片，那么128M=128*1024*1024=0x8000000，则128M内存的偏移规模应该是0x0000,0000~0x07ff,ffff，高位剩下5位，那么，咱们把MEMCONFIG0的chip_base设置为0x20，chip_mask设置为0xF8，为了坚持内存接连，则需求将MEMCONFIG1的chip_base设置为0x28，chip_mask设置为0xF8，当AXI发来的地址为0x23xx,xxxx时，0x23&0xF8得到0x20，所以，会翻开片选CS0，当AXI发来的地址为0x28xx,xxxx时，0x28&0xF8得到0x28，所以，会翻开片选CS1，依此类推。

特别的，当载在的内存芯片为8bank（8bank内存芯片一般为14/15行地址，10列地址，即容量一般为512M或许1G）时，由于CS1为bank2引脚，为了坚持CS0时钟处于片选状况，关于512M内存来讲需求将chip_mask设置为0xE0，这是由于512M=512*1024*1024=0x2000,0000，也便是说，512M内存的偏移应该为0x0000,0000~0x1fff,ffff，所以高位剩下3位，即0xE0，当然了，假定内存为1G=1024*1024*1024=0x4000,0000，即偏移为0x0000,0000~0x3fff,ffff，高位剩下2为，故设置chip_mask为0xC0。这样，就会核算偏移这两个值了。

三 装备流程

内存芯片的装备比较杂乱，好在芯片手册上给出了常用内存类型的初始化序列，TQ210的内存是DDR2的，能够依照如下次序进行初始化：

上面便是手册上给出的DDR2型内存芯片的初始化序列，可是单纯的依据上面的进程装备或许有些困难，这时，咱们能够参阅u-boot的内存初始化代码来初始化内存，最终你会发现u-boot的操作次序跟上面是完全一致的。

四 内存初始化代码

我将我装备内存的代码上传到CSDN的下载空间，假定需求的话能够去我资源里下载，是C语言版的。

五 遗留问题

装备好内存的代码烧写到Nand运转是正常的，可是用USB方法发动时不正常，现在还没有找到原因，假定有朋友处理了或许有其他问题请留言相告，在这儿先说声谢谢。

现在找到原因了，本来S5PV210的USB发动进程跟Nand发动方法不相同，S5PV210以USB方法发动时会先将三星供给的一个固件程序下载到0xd0020010处运转，然后，再将用户代码下载0x23e00000处运转，也便是说，固件程序完成了内存的初始化，由于咱们的代码坐落0x23e00000处。而咱们的代码中再次装备内存时会重置内存，下载到内存中的代码也就丢掉了，所以程序履行到内存初始化函数就会挂掉。

为了证明上面的假定，我在代码中加上一段程序，该程序将内存的中代码复制到iram的16K今后的方位上（直接复制到0xd0020000处有问题，我是复制到了0xd0024000处，现在还不知道什么原因），然后将代码跳转到IRAM中，假定代码能够正常运转就能够证明内存初始化部分正常，试验成果是必定的，下面总结下：

S5PV210以USB方法发动时用户代码是下载到内存中的（0x23e00000处），要使代码以USB方法发动时正常运转，应该留意以下两点：

（1）假定是方位相关的代码，衔接地址应该链接到0x23e00000，假定是方位无关码，能够随意指定衔接地址。
（2）用户代码需求查验自己运转时的方位，假定运转在内存中则需越过内存初始化，依据需求决议是否需求代码重定位。