STM32F10x芯片自身没有集成EEPROM，代替计划是用片上Flash来模仿EEPROM。Flash与EEPROM的差异主要是：一、EEPROM能够按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿数约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模仿EEPROM的典范：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包含源码和文档）。典范在保存修正的数据时，以写入新数据来代替对原数据的修正，并运用两个页面轮番写入，单页写满后进行数据搬迁，再一次性擦除旧页面。这个战略能够有用下降Flash擦除次数。
不过，典范代码只能保存固定巨细的数据（16bits），尽管简单改成不同的固定巨细，但实践用起来仍是很不便利。我改写了一下，新的特性包含：
- 支撑不同巨细数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
- 添加对数据的校验和（Checksum）查看。
附件供给了源码。运用方法很简单，比如要保存一个字符数组
#include
#define
#define
#define
typedef
}
char
Point
履行必要的初始化操作后，就能够进行写入和读取：
uint16_t
FLASH_Unlock();
EE_Init();
result
result
result
result
完成混合存储的方法，是给每个变量附加8字节的操控信息。因而，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于典范）。代码是针对STM32F103VE的完成。不同芯片需求对应修正头文件中
#define
附件：STM32F10x_EEPROM_Emulation.zip
