当然咱们这儿需求做一个退让，因为客户的要求或许是兼容的和渠道化的（现在轿车电子的发展趋势便是渠道化），挑选较高的作业频率能够兼容更多的渠道，也便利今后晋级和扩展，因而要挑选一个较低的能够承受的作业频率。
恰当的输出驱动才干在给定负载标准，上升和下降时刻，挑选恰当的输出的上升时刻，最大极限地下降输出和内部驱动器的峰值电流是减小EMI的最重要的规划考虑要素之一。驱动才干不匹配或不操控输出电压改变率，或许会导致阻抗不匹配，更快的开关边缘，输出信号的上冲和下冲或电源和地弹噪声。
规划单片机的输出驱动器，首要确认模块需求的负载，上升和下降的时刻，输出电流待续哦啊，依据以上的信息驱动才干，操控电压摆率，只要这样才干得到契合模块需求又能满意EMC要求。
驱动器才干比负载实践需求的充电速度高时，会发生的更高的边缘速率，这样会有两个缺陷信号的谐波成分添加了与负载电容和寄生内部bonding线，IC封装，PCB电感一同，会形成信号的上冲和下冲。
挑选适宜的的di/dt开关特性，可经过细心挑选驱动才干的巨细和操控电压摆率来完成。最好的挑选是运用一个与负载无关的稳定的电压摆率输出缓冲器。相同的预驱动器输出的电压摆率能够削减（即上升和下降时刻能够添加），可是相应的传达推迟将添加，咱们需求操控总的开关时刻）。
运用单片机的可编程的输出口的驱动才干，满意模块实践负载要求。
可编程的输出口的驱动器的最简略是的并联的一对驱动器，他们的MOS的Rdson不能，能输出的电流才干也不相同。咱们在测验和实践运用的时分能够挑选不同的形式。实践上现在的单片机一般至少有两种形式可挑选，有些乃至能够有三种（强，中等，弱）当时序束缚有满足的余量的时分，经过下降输出才干来减缓内部时钟驱动的边缘。
削减同步开关的峰值电流，和di/dt，一个重要的考虑要素便是下降内部时钟驱动的才干（其实便是扩大倍数，穿通电流与之相关型很大）。下降时钟边缘的电流，将明显改进EMI。当然这样做的缺陷便是，因为时钟和负载的注册时刻的变长使得单片机的均匀电流或许添加。快速边缘和相对较高的峰值电流，时刻更长边缘较慢的电流脉冲这两者需求做一个退让。
晶振的内部驱动（反向器）最好不要超越实践的需求。
这个问题，实践上前面也谈过了，当增益过大的时分会带来更大的搅扰。
规划最小穿通电流的驱动器时钟，总线和输出驱动器应尽或许使得传统电流最小穿通电流【堆叠电流，短路电流】，是从单片机在切换过程中，PMOS和NMOS一起导通时分，电源到地线的电流，穿通电流直接影响了EMI和功耗。
这个内容实践上是在单片机内部的，时钟，总线和输出驱动器，消除或削减穿通电流的办法是尽量先封闭一个FET，然后再注册一个FET。当电流较大时，需求额定的预驱动电路或电压摆率。
