MOSEET栅级驱动电路
MOSFET驱动电路用一个稳压管VD1(UDRM=8.3V)加在栅极,给其一个恒一的驱动电压,这能确保MOSFET管一向能很好的导通。MOSEFT机极驱动电流由Rg1和Rg2操控,它们能经过控MOSFET管的开关速度削减噪声。在MOSFET管封闭时,栅极可经过电阻Rg1放电使其快速封闭,得到最小的开关损耗,如MOSEET栅级驱动电路:
MOSEET栅级驱动电路MOSFET驱动电路用一个稳压管VD1(UDRM=8.3V)加在栅极,给其一个恒一的驱动电压,这能保证MOSFET管一直能很好的导通。MOSEFT机极驱动电流由Rg1和Rg2控
MOSEET栅级驱动电路
MOSFET驱动电路用一个稳压管VD1(UDRM=8.3V)加在栅极,给其一个恒一的驱动电压,这能确保MOSFET管一向能很好的导通。MOSEFT机极驱动电流由Rg1和Rg2操控,它们能经过控MOSFET管的开关速度削减噪声。在MOSFET管封闭时,栅极可经过电阻Rg1放电使其快速封闭,得到最小的开关损耗,如MOSEET栅级驱动电路: