一、MSP430单片机FLASH存储器模块特色
1.8～3.6V作业电压，2.7～3.6V编程电压；
擦除/编程次数可达100000次：
数据坚持时刻从10年到100年不等：
60KB空间编程时刻<5秒：
保密熔丝烧断后不行康复，不能再对JTAG进行任何拜访；
FLASH编程/擦除时刻由内部硬件操控，无任何软件干涉；
二、FLASH存储器的操作
由于FLASH存储器由许多相对独立的段组成，因而可在一个段中运转程序，而对另一个段进行擦除或写入操作。正在履行编程或擦除等操作的FLASH段是不能被拜访的，由于这时该段是与片内地址总线暂时断开的。
对FLASH模块的操作可分为3类：擦除、写入及读出。而擦除又可分为单段擦除和整个模块擦除；写入可分为字写入、字节写入、字接连写入和字节接连写入
1.FLASH擦除操作：对FLASH要写入数据，有必要先擦除相应的段，对FLASH存储器的擦除有必要是整段地进行，能够一段一段地擦除，也能够多端一同擦除，但不能一个字节或一个字地擦除。擦除之后各位为1。擦除操作的次序如下：
挑选恰当的时钟源和分频因子，为时序产生器供给正确时钟输入
假如Lock=1，则将它复位
****BUSY标志位，只要当BUSY=0时才干够履行下一步，不然一向****BUSY
假如擦除一段，则设置ERASE=1
假如擦除多段，则设置MERAS=1
假如擦除整个FLASH，则设置RASE=1，一起MERAS=1
对擦除的地址范围内的恣意方位作一次空写入，用以发动擦除操作。
在擦除周期挑选的时钟源始终有用
在擦除周期不修正分频因子
在BUSY=1期间不再拜访所操作的段
电源电压应契合芯片的相应要求
对FLASH擦除要做4件事
对FLASH操控寄存器写入恰当的操控位
****BUSY位
空写一次
等候
2.FLASH编程操作。对FLASH编程按如下次序进行：
挑选恰当的时钟源和分频因子
假如Lock=1，则将它复位
****BUSY标志位，只要当BUSY=0时才干够履行下一步，不然一向****BUSY
假如写入单字或单字节，则将设置WRT=1
假如是块写或多字、多字节次序写入，则将设置WRT=1，BLKWRT=1
将数据写入选定地址时发动时序产生器，在时序产生器的操控下完结整个进程
块写入可用于在FLASH段中的一个接连的存储区域写入一系列数据。一个块为64字节长度。块开端在0XX00H、0XX40H、0XX80H、0XXC0H等地址，块结束在0XX3FH、0XX7FH、0XXBFH、0XXFFH等地址。块操作在64字节分界处需求特别的软件支撑，操作如下：
等候WAIT位，直到WAIT=1，标明最终一个字或字节写操作结束
将操控位BLKWRT复位
坚持BUSY位为1，直到编程电压撤离FLASH模块
在新块被编程前，等候trcv（编程电压康复时刻）时刻
在写周期中，有必要确保满意以下条件：
被挑选的时钟源在写进程中坚持有用
分频因子不变
在BUSY=1期间，不拜访FLASH存储器模块
对FLASH写入要做4件事
对FLASH操控寄存器写入恰当的操控位
****BUSY位
写一个数据
持续写一向到写完
3.FLASH过错操作的处理：在写入FLASH操控寄存器操控参数时，可引发以下过错：
假如写入高字节口令码过错，则引发PUC信号。当心操作可避免
在对FLASH操作期间读FLASH内容，会引发ACCVFIG状况位的设置。当心操作可避免
在对FLASH操作期间看门狗定时器溢出。主张用户程序在进行FLASH操作之前先中止看门狗定时器，等操作结束后再翻开看门狗
一切的FLASH类型的MSP430器材0段都包括有中止向量等重要的程序代码，假如对其进行擦除操作，将会引起严峻的结果
不要在FLASH操作期间答应中止的产生
4.FLASH操作小结
对FLASH的操作是经过对3个操控字中的相应位来完结的，只要操控位的仅有组合才干完成相应的功用。下表给出了正确的操控位组合：
|
功用 |
BLKWRT | WRT | Meras | Erase | BUSY | WAIT |
Lock |
| 字或字节写入 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 块写入 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
| 段擦除并写入 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 |
| 擦除A和B以外段 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 悉数擦除并写入 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 0 |
三、FLASH寄存器阐明
答应编程、擦除等操作首要要对3个操控寄存器（FCTL1、FCTL2、FCTL3）的各位进行界说。它们运用安全键值（口令码）来避免过错的编程和擦除周期，口令犯错将产生非屏蔽中止请求。安全键值坐落每个操控字的高字节，读时为96H，写时为5AH。
1．FCTL1 操控寄存器1（用于操控一切写/编程或许删去操作的有用位），各位界说如下：
| 15～8 | 7 |
6 |
5 |
4 |
3 |
2 |
1 |
0 |
| 安全键值，读时为96H，写时为5AH | BLKWRT | WRT | 保存 | MERAS | ERASE |
BLKWRT——段编程位。假如有较多的接连数据要编程到某一段或某几段，则可挑选这种方法，这样可缩短编程时刻。在一段程序结束，再编程其它段，需对该位先复位再置位，鄙人一条写指令履行前WAIT位应为1。
0：未选用段编程方法
1：选用段编程方法
WRT——编程位
0：不编程，如对FLASH写操作，产生不合法拜访，使ACCVIFG方位位；
1：编程
MERAS——主存操控擦除位
0：不擦除
1：主存全擦除，对主存空写时发动擦除操作，完结后MERAS主动复位
ERASE——擦除一段操控位
0：不擦除
1：擦除一段。由空写指令带入段号来指定擦除哪一段，操作完结后主动复位
2．FCTL2 操控寄存器2（对进入时序产生器的时钟进行界说），各位界说如下：
| 15～8 | 7 |
6 |
5 |
4 |
3 |
2 |
1 |
0 |
| 安全键值，读时为96H，写时为5AH | SSEL1 | SSEL0 | FN5 | FN4 | FN3 | FN2 | FN1 | FN0 |
SSEL1、SSEL0——挑选时钟源
0：ACLK
1：MCLK
2：SMCLK
3：SMCLK
FN5～FN0——分频系数挑选位
0：直通
1：2分频
2：3分频
……
63：64分频
3．FCTL3 操控寄存器3（用于操控FLASH存储器操作，保存相应的状况标志和过错条件），各位界说如下：
| 15～8 | 7 |
6 |
5 |
4 |
3 |
2 |
1 |
0 |
| 安全键值，读时为96H，写时为5AH | EMEX | Lock | WAIT | ACCVIFG | KEYV | BUSY |
EMEX——紧迫退出位。对FLASH的操作失利时运用该位作紧迫处理
0：无效果
1：当即中止对FLASH的操作
Lock——锁定位，给现已编程好的FLASH存储器加锁
0：不加锁，FLASH存储器可读、可写、可擦除
1：加锁，加锁的FLASH存储器可读、不行写、不行擦除
WAIT——等候指示信号，该位只读。
0：段编程操作现已开端，编程操作进行中
1：段编程操作有用，当时数据现已正确地写入FLASH存储器，后续编程数据被列入方案
ACCVIFG——不合法拜访中止标志。当对FLASH阵列进行编程或擦除操作时不能拜访FLASH，不然将使得该方位位
0：没有对FLASH存储器的不合法拜访
1：有对FLASH存储器的不合法拜访
KEYV——安全键值（口令码）犯错标志位
0：对3个操控寄存器的拜访，写入时高字节是0A5H
1：对3个操控寄存器的拜访，写入时高字节不是0A5H，一起引发PUC信号
KEYV不会主动复位，须用软件复位
BUSY——忙标志位。该位只读。每次编程或擦除之前都应该查看BUSY位。当编程或擦除发动后，时序产生器将主动设置该位为1，操作完结后BUSY位主动复位
0：FLASH存储器不忙
1：FLASH存储器忙
