1.办法一：
PIC内部EEPROM的操作
//——————————————————–
//EEPROM字节写程序
//功用:写一个字节到内部EEPROM
//进口:EEADR=地址
//EEDATA=数据
//——————————————————–
void write_eeprom ( void )
{
//while ( WR )//等候上一次写操作完毕
//{
//asm (“clrwdt”);//喂狗
//}
EEPGD = 0 ; //设置拜访方针为EEPROM
WREN = 1 ;//答应进行写操作
GIE = 0 ; //制止中止
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //发动一次写操作
GIE = 1 ; //使能中止
WREN = 0 ;//封闭写操作
}
//——————————————————–
//EEPROM字节读程序
//功用:从内部EEPROM读一个字节
//进口:EEADR=地址
//出口:EEDATA=数据
//——————————————————–
void read_eeprom( void )
{
EEPGD = 0 ; //设置拜访方针为EEPROM
RD = 1 ; //发动一次读操作
}
//——————————————————–
//FLASH字节写程序
//功用:写一个字节到内部FLASH
//进口:EEADRH,EEADR=地址
//EEDATH,EEDATA=数据
//——————————————————–
void write_flash ( void )
{
EEPGD = 1 ; //设置拜访方针为FLASH
WREN = 1 ;//答应进行写操作
GIE = 0 ; //制止中止
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //发动一次写操作
asm (“nop”) ;
asm (“nop”) ;
GIE = 1 ; //使能中止
WREN = 0 ;//封闭写操作
}
//——————————————————–
//FLASH字节读程序
//功用:从内部FLASH读一个字节
//进口:EEADRH,EEADR=地址
//出口:EEDATH,EEDATA=数据
//——————————————————–
void read_flash( void )
{
EEPGD = 1 ; //设置拜访方针为FLASH
RD = 1 ; //发动一次读操作
asm (“nop”) ;
asm (“nop”) ;
}
2.办法二：
void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data)//写EEPROM
{
do{;}
while(WR==1);//上一次写操作是否完结
EEADR=addr;//EEPROM地址
EEDATA=data;//预备写入EEPROM的数据
EEPGD=0;//指向EEPROM数据储存器
WREN=1;//使能写操作
EECON2=0x55;//设置通用参数
EECON2=0xAA;//设置通用参数
WR=1;//开端写
do{;}
while(WR==1);//等候写操作完结
WREN=0;//制止写操作
}
//
unsigned char ReadEE(unsigned char addr)//读EEPROM
{
unsigned char num;
do{;}
while(RD==1);//上一次读操作是否完结
EEADR=addr;//EEPROM地址为00H
EEPGD=0;//指向EEPROM数据储存器
RD=1;//开端读
do{;}
while(RD==1);//等候读操作完结
num=EEDATA;//读出
return(num);//回来读出的数
}
阐明：两个程序根本过程是共同的。个中的差别是：
1、一程序中更紧密，其间增加了对WR和RD标志位的判别，缺陷是实时性较差。
2、而二程序中没有这个对WR和RD标志位的判别。那是因二将该判别的动作放在了上级程序中。也就是说，二在调用write_eeprom 函数之前，会先行判别WR。坚信前次写操作现已完毕后，才去调用新一次的写操作。这样做的意图是为了体系的实时性。
3.办法三：
PICC体系自带“ PIC.H”文件中，现已内嵌了这两个函数。！
以下是“ PIC.H”文件中的内容：
/***********************************************************************/
/****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
/***********************************************************************/
/* NOTE WELL:
The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear. This is by
design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
desired. To guarantee uncorrupted writes, use the function
eeprom_read() or insert
while(WR)continue;
before calling EEPROM_READ().
*/
#ifEEPROM_SIZE > 0
#ifdef__FLASHTYPE
// macro versions of EEPROM write and read
#defineEEPROM_WRITE(addr, value) \
do{ \
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value); \
EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0; \
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0; \
if(CARRY)GIE=1; \
}while(0)
#defineEEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
#else// else doesnt write flash
#defineEEPROM_WRITE(addr, value) \
do{ \
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value); \
CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0; \
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0; \
if(CARRY)GIE=1; \
}while(0)
#defineEEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
#endif
/* library function versions */
extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
#endif// end EEPROM routines
