概述
图1所示为完好的输出确定过流毛病检测器电路。上电后，比较器输出COUT的电压挨近0V。由Q2和Q3组成的同相缓冲器确保Q1 (具有十分低的导通阻抗、低门限电压的p沟道功率MOSFET)的栅极彻底导通。经过高边检放逐大器丈量流入负载中的电流，将检流电阻RSENSE两头的小电压信号按份额扩大、转换为以地为参阅的电压，从OUT 引脚输出。该输出电压与负载电流成正比，最终经过火压后送入带锁存的同相比较器的输入端。
当负载电流超出R1和R2设置的门限电压时，比较器翻转，输出电压被R3拉高。因为栅-源电压下跌至栅极门限以下，p沟道MOSFET关断。同相缓冲器Q2-Q3确保Q1栅极具有满足的充电电流和放电电流，完结快速切换。
图1. 由集成的检放逐大器、锁存比较器以及基准构成的快速呼应、低压过流维护电路
元件挑选
控制器
MAX4373是一款选用+3.3V供电，具有快速呼应特性的电流确定限流检测器。MAX4373内部集成了完结这一功用的一切需求的模块：包含高共模电压差分电压检测器、基准源以及带低电平有用复位输出的锁存比较器。VCC上电后，典型发动推迟为500µs，比较器传输推迟典型值为4µs。
检流电阻
合理挑选的检流电阻以确保取得最佳的增益精度(典型值为1%至1.5%)，增益规模为+20V/V和+50V/V (MAX4373的T和F版别)时，额定电流下的压差应在75mV至100mV规模内。依照下列公式核算检流电阻值以及该电阻耗费的功率：
输出动态规模也是一个重要的考虑要素。应将标称输出电压(相关于作业/检测电流)设为电源电压的一半。需求留意的是：VOUT的最大值应比电源电压VCC低250mV。因而，VCC = +3.3V时，VOUT的标称值应约为1.4V。在本文给出的实例中，关于增益为+20V/V的MAX4373 (T版别)，抱负的检测电压为70mV。
检流电流为15A时，若RSENSE = 4.6m，VSENSE为70mV，可挑选的最挨近的规范电阻为4.7m。Tyco-Meggitt RL73H的容差为±1% (尾缀F)。
电流门限
完结检放逐大器的设置后，接下来应设置比较器，以发生恰当的切换输出电压用于断开串联功率开关。经过电阻分压器将电放逐大器输出端衔接至比较器的正向输入端。比较器的正向输入应超越内部设置的标称门限值600mV (580mV至618mV)，才干断开功率开关。依据下列电压门限公式核算R1和R2的阻值：
在检放逐大器的标称输出电压条件下，流经R1和R2电流应大于150nA，小于500µA。在600mV (最大值)的饱满电压下，比较器输出可吸入1mA的电流。栅极上拉电阻R3可由下列公式核算：
功率开关
挑选外部p沟道MOSFET时的要害参数是峰值电流、导通电阻以及栅极电压，其次是其封装。挑选适宜的导通电阻，使其在额定电流下的压降与电流检测电压附近。这样可使检测电阻和MOSFET上发生的功耗附近。
Si7485DP MOSFET (来自Siliconix)在VGS = -2.5V时的最大导通电阻为9m。这个20V的p沟道器材可以作业在较低的输入电压下。最差情况下静态功耗可依照下列公式核算：
在15A负载电流和9m导通电阻条件下，Si7485DP可作业在环境温度的40°C至50°C以上，因而可依据详细使用考虑添加散热片。
在本例中，功率开关具有大约60nC的栅极电荷。假如需求快速呼应，则超出了R3和低功耗比较器输出所能供给的驱动才能。这种情况下有必要添加栅极驱动缓冲器。如上所述，由Q2和Q3组成的互补型射极跟从驱动器可认为Q1栅极供给优异的双极性电流增益。应挑选在500mA到1A集电极电流下, 具有杰出直流β值的晶体管，可选用SOT223封装的Zetex FZT688B (npn)和FZT788B (pnp)。栅极呼应时刻的核算公式如下：
作业状况
固有差错
实践检测到的电流与以下元件的固有差错有关：
检测电阻 ±1% (TL3A)
检测电压约束 ±0.1
增益容限 ±5.5% (最大值，包含增益和失调差错)
比较器电阻容限 ±1% (R1 R2)
比较器门限容限 ±3.3%
假如疏忽检测电压的差错，总的电流检测差错挨近±10.8%，可选用下列公式核算详细的差错规模：
假如R1和R2选用±0.1%容差的电阻，可稍稍下降整体差错(约±1%)，但由此所添加的本钱关于终端使用来说是无法承受的。
关断瞬态进程
关于毛病和随后的电流中止做出快速呼应是对电路的要害要求。可是，电源引线散布电感的贮存能量将会发生有害的电压尖峰，当然，其间一些能量会被负载电源的散布%&&&&&%所吸收，可是，为了维护MAX4373不被28V或更高的瞬态电压危害，最好供给一个快速呼应的过压箝位二极管。
测验成果
用电流探针监测输入端(图1中的VIN)的负载电流。逐步增大负载电流，直到到达门限并触发电路，呼应时刻约为2µs (图2)。
图2. 图1电路的测验成果，呼应时刻约为2µs.
