惠普公司今日宣告，现已和韩国海力士半导体达到协作研制协议，两边将一起致力于在未来的产品中运用Memristor忆阻器技能，即运用电阻完成存储的ReRAM(Resistive Random Access Memory电阻式存储器)。
忆阻器技能的研讨实际上已有数十年的前史。1971年，加州大学伯克利分校Leon Chua教授猜测，在电容、电阻和电感之外，还存在第四种根本元件：回忆电阻(Memristor)。这种电阻能够经过施加不同方向、巨细电压，改动其阻值。因为能够运用不同阻值代表数字信号，忆阻器在计算机存储范畴运用远景广泛。它运用单个元件就能够完成一组闪存电路的功用，而且耗能更少，速度更快。当把忆阻器与半导体电路混合时，能够大幅下降处理器芯片中用于存储的晶体管数量，显着下降成本。
开展进程
2006年，惠普总算经过试验证明了忆阻器的存在，并在2008年于天然杂志宣布论文得到国际认可。在证明忆阻器存在后，惠普还在不断推进这项技能的前进，包含2009年完成忆阻器电路堆叠，本年上半年又证明忆阻器可完成逻辑电路，即能够在存储芯片中直接施行运算功用。依据今日签定的协议，两边将一起研制忆阻器技能，争夺尽快让运用该技能的ReRAM商品化。海力士将在自己的研制和出产制作中逐渐运用忆阻器技能。
因为ReRAM归于非易失性存储设备，其最直接的运用便是代替闪存，担任计算机以及各种消费电子设备中的长时间存储使命。乃至还可能成为通用性存储介质，替代DRAM乃至硬盘的方位。
忆阻器存储
