据美国物理研讨所出书的《运用物理》杂志报导，日本东北大学的科学家们在试验室中运用铁电存储技能将存储芯片的存储密度提高到了每平方英寸4Tbit，达成了铁电存储体的新世界纪录，如此等级的存储密度要比现有第一流的磁记录型硬盘的存储密度要高上7倍左右。
这种数据存储设备运用一个尖顶悬臂对铁电体存储资料进行读写操作。进行数据写入时，向尖顶发送电脉冲，这种电脉冲可以改动对应方位的电子极性和电子所在区域周围一小片圆型区域内硅基体的介电常数。进行数据读取时，则运用尖顶来侦测邻近区域介电常数的改变值来读取数据。
担任该项目研讨的Yasuo Cho博士称：“咱们期望这种铁电体存储系统，至少在需求极大数据存储密度和对存储器体积要求很小的运用场合下，能扮演替代磁硬盘和闪存存储器的人物。“
在这项技能的前期研讨过程中，研制者们从前遇到过这样的问题：当需求在这种铁电体存储资料上连片写入方位接连的数据时，写入时发生的极化区会互相交融在一起，导致极化区的面积超越了预订的尺度，影响到了周边的存储区域。为此研讨者们开发出了别的一项弥补技能，这种技能可以猜测这种连片写入数据的行为，并在写入此类数据时将发送给尖顶的电脉冲信号主动减小10%左右，这样才处理了这个问题。
虽然铁电体存储技能具有无需磁技能或热技能介入，仅需使用电学技能的优势，可是要将这种存储技能投入有用还需求作很大的尽力，比方现在铁电体技能的数据读取速度和精度方面，以及铁电体基体部分的本钱方面便还没有到达商用化的水平。不仅如此，传统的存储技能也一直在开展前进，其存储密度甚至有可能会超越铁电体，比方希捷公司便曾声称他们估计传统存储技能的数据存储密度有望到达50Tbit/平方英寸。
