东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣告将共同开发下一代半导体制程技能，一起东芝也吊销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害补偿诉讼。两企业决议会集火力争夺半导体工业未来主导权，替代彼此消耗的专利诉讼。
据ET News报道，东芝与SK海力士曾保持很长时刻的协作联系。2007年订立专利授权合约，并自2011年开端共同开发下一代存储器STT-MRAM。 2014年3月因存储器半导体技能外流，东芝向SK海力士提出告知，要求1.1兆韩元规划的民事补偿，两边联系因而决裂。
最终SK海力士以付出2.8亿美元，适当诉讼规划27%的宽和金与东芝达成协议，吊销诉松。SK海力士半导体部分的专利彼此授权合约，与产品供给契约也取得延伸。经过这次的全方位协作宣言，两边总算重修旧好。
SK海力士有关人士表明，与东芝进行全方位的协作，不光提高技能竞争力也取得安稳的订单，一起免除潜在运营不确定性。
SK海力士最近存储器成绩亮眼，对未来新技能的主导权也显得越来越有爱好。现在与东芝共同开发的次世代纳米压印(Nanoimprint Lithography;NIL)技能，是在世界半导体科技蓝图(ITRS)中，被喻为能完成32纳米以下微细制程的新方法。
半导体制程日趋微细化，而NIL正是完成微细图画所必要的次世代制程技能。NIL制程与印章的原理相似，将液态紫外线(UV)感光性树脂涂布在基板之后，以通明模具加压构成图画，再用光源照耀将图画固定。
由于没有运用镜片而选用廉价的UV光源，价格竞争力远胜极紫外光(EUV)曝光设备。与现在需消耗钜额出资的制程技能比较，可望完成更经济的量产方法。而SK海力士与东芝若能成功开发NIL技能，商用化后也可望进一步强化存储器产品的本钱竞争力。
