跟着DRAM和NAND技能继续迈向更先进几许制程与多层次存储器的路途，IC Insights亲近调查有关DRAM和NAND供货商的最新动态，希望能供给更清楚的DRAM/NAND开展蓝图。
在 2014年中期，制作 NAND存储器元件的最早进制程技能选用的是20nm以及更小的特征尺度，而DRAM选用的制作技能还不到30nm。依据图1所示的制程技能蓝图显现，在2017年曾经，最小特征尺度为2D(平面)的NAND Flash将会过渡到10-12nm，而DRAM则将迁移至20nm或更小的 DRAM 。
不过，IC Insights坦承，这样的开展态势还无加以结论，由于制作制程节点的界说并不清晰，尤其是在企业企图在竞赛中获得某种优势时，就很简单遭到营销「游戏数字」的影响。
量产NAND Flash和DRAM开展蓝图
为了制作NAND Flash ，2014年时现已加快量产15nm和16nm NAND芯片了。三星(Samsung)是第一家最早量产3D NAND芯片的公司。该公司在2014年5月宣告开端量产选用32层存储器单元的V-NAND Flash芯片。此外，在2013年，该公司已针对资料中心客户出货根据其第一代24层 V-NAND 技能的固态硬盘(SSD)。
从2D到3D NAND存储器全面转型的机遇，将视3D成为更具本钱效益选项之际而定，但这样的状况将会继续一段时间。甚至当到达本钱的交叉点时，2D和3D NAND还或许共存好些年。
现在业界首要的DRAM制作商正以20nm级特征尺度(20-29nm之间)进行量产制作。
好像NAND Flash 相同，DRAM技能也正朝向以笔直方向整合电路的趋势开展。3D DRAM解决方案的比如之一是由HMC联盟开发的混合存储器立方(HMC)。HMC联盟是由美光(Micron)和三星，以及包含Altera、ARM、IBM、Open-Silicon、海力士 (SK Hynix)和赛灵思(Xilinx)等开发商一起组成。
