太阳能电池概略
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种运用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被满意必定照度条件的光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下发生电流。在物理学上称为太阳能光伏（Photovoltaic，缩写为PV），简称光伏。太阳能电池是通过光电效应或许光化学效应直接把光能转化成电能的设备。以光电效应作业的晶硅太阳能电池为干流，而以光化学效应作业的薄膜电池施行太阳能电池则还处于萌发阶段。
太阳能电池制造工艺流程
1、 硅片切开，资料预备： 工业制造硅电池所用的单晶硅资料，一般选用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切开成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（全球节能环保网掺硼）。
2、 去除损害层： 硅片在切开进程会发生很多的外表缺点，这就会发生两个问题，首要外表的质量较差，别的这些外表缺点会在电池制造进程中导致碎片增多。因而要将切开损害层去除，一般选用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
3、 制绒： 制绒，便是把相对润滑的原资料硅片的外表通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，构成漫反射，削减直射到硅片外表的太阳能的丢失。关于单晶硅来说一般选用NaOH加醇的办法腐蚀，运用单晶硅的各向异性腐蚀，在外表构成很多的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时刻约15分钟。关于多晶来说，一般选用酸法腐蚀。
4、 分散制结： 分散的意图在于构成PN结。遍及选用磷做n型掺杂。因为固态分散需求很高的温度，因而在分散前硅片外表的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片外表的碱残留和金属杂质。
5、 边际刻蚀、清洗： 分散进程中，在硅片的周边外表也构成了分散层。周边分散层使电池的上下电极构成短路环，有必要将它除掉。周边上存在任何细小的部分短路都会使电池并联电阻下降，以致成为废品。现在，工业化出产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧替换对硅效果，去除含有分散层的周边。 分散后清洗的意图是去除分散进程中构成的磷硅玻璃。
6、 堆积减反射层： 堆积减反射层的意图在于削减外表反射，添加折射率。广泛运用PECVD淀积SiN ，因为PECVD淀积SiN时，不光是成长SiN作为减反射膜，一起生成了很多的原子氢，这些氢原子能对多晶硅片具有外表钝化和体钝化的两层效果，可用于大批量出产。
7、 丝网印刷上下电极： 电极的制备是太阳电池制备进程中一个至关重要的过程，它不只决议了发射区的结构，并且也决议了电池的串联电阻和电池外表被金属掩盖的面积。最早选用真空蒸镀或化学电镀技能，而现在遍及选用丝网印刷法，即通过特别的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正反面，以构成正负电极引线。
8、 共烧构成金属触摸： 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才干构成杰出的带有金属电极欧姆触摸，共烧工艺只需一次烧结，一起构成上下电极的欧姆触摸。在太阳电池丝网印刷电极制造中，一般选用链式烧结炉进行快速烧结。
9、 电池片测验： 完结的电池片通过测验分档进行归类。
