在嵌入式设备开发中，往往需求保存一些掉电不易失性的数据，假如体系装备、用户定制信息等等，假如添加额定的ROM IC，比方（根据I2C的24C02等等）往往会形成额定的PCB空间增大，硬件本钱添加，下降产品的性价比。假如单从实用性来讲，在stm32的体系中，诸如此类的运用，笔者引荐如下2个办法能够去测验和学习。
根据备份寄存器
原理：关于大容量的MCU系列来说，它有着42个16bit的备份寄存器，而中小容量的微处理器却只有10个16bit的备份寄存器。以STM32F103C8T6为例，42个备份寄存器的地址偏移为：0x04~0x28，0x40~0xBC，共能够存储84个byte数据。备份寄存器是依靠者备份电源的，当外界的VDD掉电，只需体系的VBAT能正常存在，那么Bakeup Domaain Registers的内容能够被正常保存起来。
软件编程关键，以一个项目中常用的case为例：
功用初始化：
备份寄存器读出：void BKP_WriteBackupRegister（uint16_t BKP_DR， uint16_t Data）
备份寄存器读出：uint16_t BKP_ReadBackupRegister（uint16_t BKP_DR）
该办法运用简略，明晰，可是因为一共的能够运用的空间少，故该办法仅仅适合于保存小批量的数据，如穿戴设备中用户的常用装备数据。
根据内部闪存
原理：FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器。它分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH，NOR FLASH一般运用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间；而 NAND FLASH 一般运用在大数据量存储的场合，如U 盘以及固态硬盘等，一般都是 NAND FLASH 类型的。
在stm32芯片中，Flash的读写单位都是以“页”为单位的，以STM32F103C8T6为例，它的每页巨细为2K bytes;
软件编程关键
读写维护免除：运用这种办法条件是，当时读和写Flash的答应的，假定当时flash已经是答应写的。所以暂时一些关于OpTIonBytes的操作和Flash的读写维护操作等API暂时不做评论。
FlashWrite：单个uint32_t数据的写入简易流程如图：
FlashRead：关于单个int数据的读出，比较简略，经过下列句子完结：rdData= （*（__IOuint32_t *）dataAddr）;
因为SW介入的API较多，并且有许多的额定的布景常识需求码农去了解，运用该办法，相对比较复杂。可是因为保存数据以页为单位，页的巨细能够多达2048bytes，所以该办法能够实用于保存掉电不易失的大数据。考虑到flash读写维护的逻辑机制，该办法最好在不考虑数据的安全性问题条件下，才运用这种办法。
关于诸如此类的掉电维护数据办法，这儿仅仅是抛砖引玉，欢迎我们多多提出更好的计划。
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