您的位置 首页 ADAS

集成电路失效原因的三个阶段

集成电路失效原因的三个阶段-可靠性(Reliability)是对产品耐久力的测量, 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线(Bathtub Curve)来表示。

可靠性(Reliability)是对产品耐久力的丈量, 咱们首要典型的IC产品的生命周期能够用一条浴缸曲线(Bathtub Curve)来表明。

%&&&&&%失效原因的三个阶段

如上图暗示, 集成电路的失效原因大致分为三个阶段:

Region (I) 被称为早夭期(Infancy period), 这个阶段产品的失功率快速下降,形成失效的原因在于IC规划和出产过程中的缺点;

Region (II) 被称为运用期(Useful life period), 这个阶段产品的失功率保持稳定,失效的原因往往是随机的,比方温度改变等等;

Region (III) 被称为磨耗期(Wear-Out period) 这个阶段产品的失功率会快速升高,失效的原因便是产品的长期运用所形成的老化等。

军工级器材老化挑选

元器材寿数实验

ESD等级、Latch_up测验点评

高低温功能剖析实验

集成电路微缺点剖析

封装缺点无损检测及剖析

电搬迁、热载流子点评剖析

依据实验等级分为如下几类:

一、运用寿数测验项目(Life test items)

EFR:前期失效等级测验( Early fail Rate Test )

意图:评价工艺的稳定性,加快缺点失功率,去除因为天然生成原因失效的产品

测验条件:在特定时间内动态提高温度和电压对产品进行测验

失效机制:资料或工艺的缺点,包含比如氧化层缺点,金属刻镀,离子玷污等因为出产形成的失效

参阅规范:

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

HTOL/ LTOL:高/低温操作生命期实验(High/ Low Temperature OperaTIng Life )

意图:评价器材在超热和超电压情况下一段时间的耐久力

测验条件: 125℃,1.1VCC, 动态测验

失效机制:电子搬迁,氧化层决裂,彼此分散,不稳定性,离子玷污等

参阅数据:

125℃条件下1000小时测验通过IC能够确保继续运用4年,2000小时测验继续运用8年;150℃ 1000小时测验通过确保运用8年,2000小时确保运用28年

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/qiche/adas/347387.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部