什么是场效应管
场效应管，即场效应晶体管（简称FET），是一种电压控制型半导体器件。
场效应管具有以下特点：
1.高输入阻抗：场效应管的输入端几乎不流入电流，因此它的输入阻抗非常高，这使得它们在电路中不易受到外界干扰。
2.低噪声性能：由于其高阻抗的特性，场效应管在信号放大时产生的噪声较小，适合用于高灵敏度和低噪声的电路。
3.热稳定性好：场效应管受温度影响较小，因此在温度变化的环境中能保持较好的工作性能。
4.安全工作区域宽：场效应管没有二次击穿现象，这意味着它们在电路中的安全工作范围较宽。
场效应管主要有两种类型：
结型场效应管：简称JFET，它通过一个p-n结来控制导电通道的宽度。
金属-氧化物半导体场效应管：简称MOSFET，它使用一个绝缘层来控制导电通道。
这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示：
PMOS的衬底为N型半导体，在VGS《0时，会形成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS》0时，会形成N沟道，所以叫做N沟道MOS。
MOS管是电压驱动型的器件，主要用作可控整流、功率开关、信号放大等，应用比较广泛。MOS管的通道依靠VGS的电平，对于NMOS而言，VGS 》0时，NMOS导通，否则NMOS截止；对于PMOS而言，VGS《0，PMOS导通，否则截止。
▲ MOS场效应管的电路符号
