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ADG1219双电源模仿开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG1219相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,ADG1219供应信息可在查IC网搜索

ADG1219相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,ADG1219供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

ADG1219是一款单芯片iCMOS®器材,内置单刀双掷(SPDT)开关。该器材供给EN输入,用来使能或禁用器材。禁用时,一切通道均关断。接通时,各通道在两个方向的导电功能相同,输入信号规模可扩展至电源电压规模。每个开关均为先开后合式。

        

iCMOS(工业CMOS)是一种模块式制作工艺,集高电压CMOS(互补金属氧化物半导体)与双极性技能于一体。使用这种工艺,能够开发作业电压达33 V的各种高功能模仿IC,并完成以往的高压器材所无法完成的尺度。与选用传统CMOS工艺的模仿IC不同,iCMOS器材不光能够接受高电源电压,一起还能提高功能、大幅下降功耗并减小封装尺度。

这些多路复用器具有超低电容和极低的电荷注入特性,因此是要求低突波和快速树立时刻的数据收集与采样坚持使用的抱负解决方案。图2显现,在器材的整个信号规模内电荷注入极小。一起,iCMOS结构可保证功耗极低,因此这些器材十分合适便携式电池供电外表。

        使用

  • 自动测试设备
  • 数据收集体系
  • 电池供电体系
  • 采样坚持体系
  • 音频/视频信号路由
  • 通讯体系
  • 优势和特色

    • 电荷注入:小于0.5 pC(整个信号规模内)
    • 2.5 pF关断电容
    • 低走漏:0.6 nA(最大值,85°C)
    • 导通电阻:120 Ω
    • 额外电源电压:+12 V、±15 V
    • 无需VL电源
    • 3 V逻辑兼容输入
    • 轨到轨作业
    • 8引脚SOT-23封装

    ADG1219电路图

    ADG1219

    ADG1219中文PDF下载地址

    ADG1219下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG1219.pdf

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