LTC1154高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

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产品概况

LTC^®1154 单通道高压侧栅极驱动器答应在高压侧开关运用中运用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提高至正电源轨以上，从而在未运用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA，作业电流为 85μA) 使其在简直一切体系中运用时都能够完成最高的功率。

在该芯片上集成了可编程过流检测电路。能够添加一个延时，以避免在高浪涌电流负载上引起误触发。还供给了一个高态有用停机输入，并与一个规范的 PTC 热敏电阻直接相连，以完成热停机功用。供给了一个漏极开路输出，用于向 μP (微处理器) 陈述开关状况。供给了一个低态有用使能输入，以操控编列成组的多个开关。

LTC1154 选用 8 引脚 DIP 和 8 引脚 SOIC 封装。

运用

• 膝上型电脑电源转化
• SCSI 终端电源转化
• 蜂窝电话电源办理
• 电池充电和办理
• 高压侧工业和轿车开关
• 步进电动机和 DC 电动机操控

优势和特色

• 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
• 8μA I_Q 待机电流
• 85μA I_Q 接通电流
• 无外部充电泵电容器
• 电源规模：4.5V 至 18V
• 短路维护功用
• 使用 PTC 热敏电阻完成了热停机功用
• 状况输出可指示停机形式
• 选用 8 引脚 SOIC 封装和 8 引脚 PDIP 封装

LTC1154电路图

LTC1154中文PDF下载地址

LTC1154下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/1154fc.pdf