固态继电器是无触点开关，由输入电路，阻隔（耦合）和输出电路三部分组成。输入端用细小的操控信号驱动大电流负载。固态继电器具有接触器相同的功用，其长处是输入功率小、灵敏度高、噪声低。运用固态继电器的模温机适用范围更广泛，也更安全。闻名的固态继电器品牌有美国快达（Crydom）、欧姆龙。
可控硅和固态继电器的差异是什么？
问的很简练，且看似简略。而答的有三两句，有长篇大论乃至还用了两贴才算完事，可谓形形色色呀。一句问，成百句答。答清楚了吗？究竟可控硅和固态继电器的差异是什么？
可控硅可所以单向的，也可所以双向的，可以过零触发也可以移相触发，固态继电器相同是如此的。 所以，他们的用处、方式都是相同类型产品，从这一点上（运用的方式、性质视点）没有差异，因为固态继电器也是可控硅做的（三极管的固态继电器在外）。
那么他们的差异究竟在那呢？总不会一个东西，两个姓名吧？他们的差异就在于，可控硅便是可控硅，固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。
固态继电器仅仅相当于一个开关，不能调理电流。可控硅能操控其导通角，能调理电流的巨细。
固态继电器其实也是以可控硅为首要部件而制造的，所不同的是，固态继电器动作电压与操控电压经过内部电路例如光耦进行别离的，假如你觉的猎奇的话我主张你拆一个固态继电器看看内部，假如你稍懂是电路常识，你完全可以依照里边的电路进行克己一个，呵呵！其实也不是难事，只不过少了一个美丽的外壳算了！
可控硅可所以单向的，也可所以双向的，可以过零触发也可以移相触发，固态继电器相同是如此的。所以，他们的用处、方式都有相同类型产品，从这一点上（运用的方式、性质视点）没有差异，因为固态继电器也是可控硅做的（三极管的固态继电器在外）。
那么他们的差异究竟在那呢？总不会一个东西，两个姓名吧？他们的差异就在于，可控硅便是可控硅，固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。这便是差异。
现在有一种叫“智能化可控硅模块”，他把可控硅元件、同步触发驱动做在一个模块里了，这种可控硅与固态继电器现已无法差异了。当然，从形状上可以差异。
可控硅的作业原理及根本特性
1、作业原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，剖析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于扩大状况。此刻，假如从操控极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2扩大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此刻，电流ic2再经BG1扩大，所以BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的成果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱满导通。
因为BG1和BG2所构成的正反馈效果，所以一旦可控硅导通后，即便操控极G的电流消失了，可控硅依然可以保持导通状况，因为触发信号只起触发效果，没有关断功用，所以这种可控硅是不行关断的。
因为可控硅只需导通和关断两种作业状况，所以它具有开关特性，这种特性需求必定的条件才干转化。
状况 条件 阐明
从关断到导通
1、阳极电位高所以阴极电位
2、操控极有满足的正向电压和电流
两者缺一不行
保持导通 1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于保持电流 两者缺一不行
从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于保持电流 任一条件即可
2、根本伏安特性
（1）反向特性
当操控极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J2结反偏。此刻只能流过很小的反向饱满电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流敏捷添加，图3的特性开端曲折，如特性OR段所示，曲折处的电压URO叫“反向转机电压”。此刻，可控硅会发作永久性反向击穿。
（2）正向特性
当操控极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与一般PN结的反向特性类似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状况，当电压添加，图3的特性发作了曲折，如特性OA段所示，曲折处的是UBO叫：正向转机电压
因为电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发作雪崩倍增效应，在结区发生很多的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区经过J1结注入N1区的空穴复合，相同，进入P2区的空穴与由N2区经过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能悉数复合掉，这样，在N1区就有电子堆集，在P2区就有空穴堆集，成果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只需电流稍添加，电压便敏捷下降，呈现所谓负阻特性。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状况—通态，此刻，它的特性与一般的PN结正向特性类似，。
3、触发导通
在操控极G上参加正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，构成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈效果（见图2）的基础上，加上IGT的效果，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
