本文主要是关于肖特基二极管的相关介绍，并侧重对肖特基二极管的压降进行了翔实的论述。
肖特基二极管
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是运用P型半导体与N型半导体触摸构成PN结原理制作的，而是运用金属与半导体触摸构成的金属－半导体结原理制作的。因而，SBD也称为金属－半导体（触摸）二极管或外表势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，运用二者触摸面上构成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器材。由于N型半导体中存在着很多的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中分散。明显，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的分散运动。跟着电子不断从B分散到A，B外表电子浓度逐渐下降，外表电中性被损坏，所以就构成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场效果之下，A中的电子也会发生从A→B的漂移运动，然后消弱了由于分散运动而构成的电场。当建立起必定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子分散运动到达相对的平衡，便构成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面构成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极运用钼或铝等资料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边际区域的电场，进步管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边构成N+阴极层，其效果是减小阴极的触摸电阻。经过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便构成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两头加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两头加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的差异一般将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，选用硅平面工艺制作的铝硅肖特基二极管也已面世，这不仅可节约贵金属，大幅度下降成本，还改进了参数的一致性。
结构
新式高压SBD的结构和资料与传统SBD是有差异的。传统SBD是经过金属与半导体触摸而构成。金属资料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体一般为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为取得杰出的频率特性，故选用N型半导体资料作为基片。为了减小SBD的结电容，进步反向击穿电压，一起又不使串联电阻过大，一般是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路别离如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳并联电容，LS是引线电感，RS是包含半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj别离为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。 我们知道，金属导体内部有很多的导电电子。当金属与半导体触摸（二者间隔只要原子巨细的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因而，在二者触摸后，电子会从半导体向金属分散，然后使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是抱负的导体，负电荷只散布在外表为原子巨细的一个薄层之内。而关于N型半导体来说，失掉电子的施主杂质原子成为正离子，则散布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属分散运动的成果，构成空间电荷区、自建电场和势垒，而且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区悉数落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场添加，与分散电流方向相反的漂移电流增大，终究到达动态平衡，在金属与半导体之间构成一个触摸势垒，这便是肖特基势垒。
在外加电压为零时，电子的分散电流与反向的漂移电流持平，到达动态平衡。在加正向偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体一侧势垒下降，所以构成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度添加，构成由半导体到金属的较小反向电流。因而，SBD与PN结二极管相同，是一种具有单导游电性的非线性器材。
检测
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器材，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、维护二极管运用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管运用。
功能比较
下表列出了肖特基二极管和超快康复二极管、快康复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的功能比较。由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但均匀整流电流很小，不能作大电流整流用。
检测办法
下面经过一个实例来介绍检测肖特基二极管的办法。检测内容包含：①辨认电极；②查看管子的单导游电性；③测正导游压降VF；④丈量反向击穿电压VBR。
被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚依照正面（字面朝向人）从左至右次序编上序号①、②、③。挑选500型万用表的R×1档进行丈量，悉数数据整理成下表：
肖特基二极管测验定论：
榜首，依据①—②、③—④间均可测出正向电阻，断定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。
第二，因①—②、③—②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单导游电性。
第三，内部两只肖特基二极管的正导游通压降别离为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的最大答应值VFM（0.55V）。
别的运用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的最高反向作业电压（即反向峰值电压）VBR=40V。标明留有较高的安全系数。
肖特基二极管压降多少
小电流时是0.1-0.2V。
流过额定电流时就大了，看数据手册可知：
1A 3A
1N5817（20V/1A） 0.45V 0.75V
1N5818（30V/1A） 0.55V 0.875V
1N5819（40V/1A） 0.6V 0.9V
怎么削减压降
1、肖特基二极管压降的含义
肖特基二极管最大的长处是阻抗低、正向压降小、康复速度快，所以常用于高频大电流整流和降电维护线路。
2、肖特基二极管压降的常用测验办法
用“DC POWER SUPPLY”仪（恒流稳压直流电流）测验：先给小电压以便有电流经过肖特基二极管，再渐渐调大电流到达被测肖特基二极管的额定电流，待电压值安稳后再读数，安稳后的读数便是额定电流的压降。
为何是安稳后的电压读数才是正确的压降读数：肖特基二极管的阻抗不是固定的，而是随温度升高而变小的（非线性联系）。
当有电流经过肖特基二极管时，管芯会发生热量，再经过管体发出出去，当到达热平衡时（管芯发生的热量能及时发出出去），此刻的阻抗也便是相对安稳，这是能量守恒定律（P=I2R，P转化为热量）。假如直接用额定电流测验，初始读数是偏高的，由于此刻的管芯处于常温状态，阻抗最大，读数会随时间推移而逐渐下降，便是由于阻抗随温度升高而变小的原因。
3、肖特基二极管压降的测验办法常见误区
部分用户因受测验仪器的约束而直接用万用表测验，尽管万用表有测验二极管的这一档，但其输出电流只要一两个毫安，其测验的读数并不是“内阻”，而是在电流为毫安级时的压降，而且，用这种办法测验每一批肖特基二极管压降时显现的读数可能会误差很大，肖特基二极管一般作业电流是安培级的，两者相差千倍。
结语
关于肖特基二极管的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎纠正。
