功率MOS管的损坏机理介绍

此文首要参阅renasus功率二极管使用阐明，考虑大部分人比较懒，有针对性的分红几个部分，第一个部分是介绍，便是本文，今后会把对策和一些自己的考虑加上去。
雪崩损坏
假如在漏极-源极间外加超出器材额外VDSS的电涌电压，并且到达击穿电压V(BR)DSS （依据击穿电流其值不同），并超出必定的能量后就发作损坏的现象。

在介质负载的开关运转断开时发作的回扫电压，或许由漏磁电感发作的尖峰电压超出功率
MOSFET的漏极额外耐压并进入击穿区而导致损坏的形式会引起雪崩损坏。
典型电路：

器材发热损坏
由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热

• 导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致必定电流下，功耗添加）
  
• 由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗比较极小）

瞬态功率原因：外加单触发脉冲

• 负载短路
  
• 开关损耗（接通、断开） *（与温度和作业频率是相关的）
  
• 内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和作业频率是相关的）

器材正常运转时不发作的负载短路等引起的过电流，构成瞬时部分发热而导致损坏。别的，因为热量不般配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，继续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的损坏。

内置二极管损坏
在DS端间构成的寄生二极管运转时，因为在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运转，
导致此二极管损坏的形式。由寄生振动导致的损坏
此损坏方法在并联时特别容易发作
在并联功率MOS FET时未刺进栅极电阻而直接衔接时发作的栅极寄生振动。高速重复接通、断
开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg构成的谐振电路上发作此寄生振动。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，因为超出栅极-源极间额外电压导致栅极损坏，或许接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压经过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形堆叠导致正向反应，因而可能会因为误动作引起振动损坏。

栅极电涌、静电损坏
首要有因在栅极和源极之间假如存在电压浪涌和静电而引起的损坏，即栅极过电压损坏和由上电状况中静电在GS两头（包含装置和和测定设备的带电）而导致的栅极损坏