装备电容的经验值
好的高频去耦电容能够去除高到1GHZ的高频成份。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计印刷线路板时，每个集成电路的电源，地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，供给和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能；另一方面旁路掉该器材的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nH散布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也便是说关于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
1uf，10uf电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频率噪声的作用要好一些。在电源进入印刷板的当地和一个1uf或10uf的去高频电容往往是有利的，即使是用电池供电的体系也需求这种电容。
每10片左右的集成电路要加一片充放电电容，或称为蓄放电容，电容巨细可选10uf。最好不必电解电容，电解电容是两层溥膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感，最好运用胆电容或聚碳酸酝电容。 去耦电容值的选取并不严厉，可按C=1/f核算；即10MHz取0.1uf。
因为不管运用怎样的电源分配计划，整个体系会发作满足导致问题发作的噪声，额定的过滤办法是必需的。这一使命由旁路电容完结。一般来说，一个1uf-10uf 的电容将被放在体系的电源接入端，板上每个设备的电源脚与地线脚之间应放置一个0.01uf-0.1uf 的电容。旁路电容便是过滤器。放在电源接入端的大电容（约10uf）用来过滤板子发作的低频（比方60hz 线路频率）。板上工作中的设备发作的噪声会发作从100mhz 到更高频率间的合共振（harmonics）。每个芯片间都要放置旁路电容，这些电容比较小，大约0.1u 左右。
退藕电容的一般装备准则
1. 电源输入端跨接10 ~100uf的电解电容器。如有或许，接100uf以上的更好。
2. 准则上每个集成电路芯片都应安置一个0.01pf的瓷片电容，如遇印制板空地不行，可每4~8个芯片安置一个1 ~ 10pf的但电容。
3. 关于抗噪才能弱、关断时电源改变大的器材，如 ram、rom存储器材，应在芯片的 电源线和地线之间直接入退藕电容。
4、电容引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能有引线。此外，还应留意以下两点：
a、 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会发作较大火花放电 ，有必要选用附图所示的 rc 电路来吸收放电电流。一般 r 取 1 ~ 2k，c取2.2 ~ 47uf。
cmos的输入阻抗很高，且易受感应，因此在运用时对不必端要接地或接正电源。
因为大部分能量的交流也是首要集中于器材的电源和地引脚，而这些引脚又是独立的直接和地电平面相连接的。这样，电压的动摇实际上首要是因为电流的不合理散布引起。但电流的散布不合理首要是因为很多的过孔和隔离带形成的。这种情况下的电压动摇将首要传输和影响到器材的电源和地线引脚上。
为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应该为集成电路芯片增加去耦电容。这能够有用去除电源上的毛刺的影响并削减在印制板上的电源环路的辐射。
当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时，其滑润毛刺的作用最好。这便是为什么有一些器材插座上带有去耦电容，而有的器材要求去耦电容距器材的间隔要满足的小。
去耦电容装备的一般准则如下：
● 电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，假如印制电路板的方位答应，选用100uF以上的电解电容器的抗干扰作用会更好。
● 为每个集成电路芯片装备一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片装备一个1～10uF钽电解电容器，这种器材的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，并且漏电流很小（0.5uA以下）。
关于噪声才能弱、关断时电流改变大的器材和ROM、RAM等存储型器材，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
● 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
● 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会发作较大火花放电，有必要RC 电路来吸收放电电流。一般 R 取 1 ~ 2K，C取2.2 ~ 47UF。
● CMOS的输入阻抗很高，且易受感应，因此在运用时对不必端要接地或接正电源。
● 设计时应确认运用高频低频中频三种去耦电容，中频与低频去耦电容可根据器材与PCB功耗决议,可别离选47-1000uF和470-3300uF；高频电容核算为: C=P/V*V*F。
● 每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。
● 用大容量的钽电容或聚酷电容而不必电解电容作电路充放电储能电容。运用管状电时，外壳要接地。
