晶体管全称双极型三极管（Bipolar juncTIon transistor，BJT）又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器材，可用于检波、整流、扩大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关。依据输入的电压，操控流出的电流，因而晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关（如Relay、switch）不同的是：晶体管是运用电信号来操控，并且开关速度非常快，在实验室中的切换速度可达100吉赫兹以上。
晶体管按其结构分为NPN型和PNP型两类。晶体管结构与符号如图所示。它们都有三个区：集电区、基区、发射区；从这三个区引出的电极别离称为集电极c（Collector）、基极b（Base）和发射极e（Emitter）。两个PN结：发射区与基区之间的PN结称为发射结Je，基区与集电区之间的PN结称为集电结Je。
两种管子的电路符号的发射极箭头方向不同，箭头方向表明发射结正偏时发射极电流的实践方向。
应当指出，晶体管绝不是两个PN结的简略衔接。它采用了以下制作工艺：基区很薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电结面积比发射结的面积大等。这些都是为了确保晶体管具有较好的电流扩大效果。
因为晶体管在结构上有这些特色，所以不能用两个二极管背向衔接来阐明晶体管的效果，在运用时发射极和集电极一般不能交换。
晶体管的首要参数：
晶体管的首要参数有电流扩大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
电流扩大系数
电流扩大系数也称电流扩大倍数，用来表明晶体管扩大才能。依据晶体管作业状况的不同，电流扩大系数又分为直流电流扩大系数和沟通电流扩大系数。
1、直流电流扩大系数 直流电流扩大系数也称静态电流扩大系数或直流扩大倍数，是指在静态无改变信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表明。
2、沟通电流扩大系数 沟通电流扩大系数也称动态电流扩大系数或沟通扩大倍数，是指在沟通状况下，晶体管集电极电流改变量△IC与基极电流改变量△IB的比值，一般用hfe或β表明。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较挨近，在高频时有一些差异。
耗散功率
耗散功率也称集电极最大答应耗散功率PCM，是指晶体管参数改变不超越规则答应值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高答应结温文集电极最大电流有密切关系。晶体管在运用时，其实践功耗不答应超越PCM值，否则会形成晶体管因过载而损坏。
一般将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
频率特性
晶体管的电流扩大系数与作业频率有关。若晶体管超越了其作业频率规模，则会呈现扩大才能削弱乃至失掉扩大效果。
晶体管的频率特性参数首要包含特征频率fT和最高振动频率fM等。
1、特征频率fT 晶体管的作业频率超越截止频率fβ或fα时，其电流扩大系数β值将跟着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的作业频率。
一般将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
2、最高振动频率fM 最高振动频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
一般，高频晶体管的最高振动频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指晶体管集电极所答应经过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超越ICM时，晶体管的β值等参数将发作明显改变，影响其正常作业，乃至还会损坏。
最大反向电压
最大反向电压是指晶体管在作业时所答应施加的最高作业电压。它包含集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1、集电极——集电极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大答应反向电压，一般用VCEO或BVCEO表明。
2、基极—— 基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大答应反向电压，用VCBO或BVCBO表明。
3、发射极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大答应反向电压，用VEBO或BVEBO表明。
反向电流
晶体管的反向电流包含其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。
1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较灵敏，该值越小，阐明晶体管的温度特性越好。
2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，阐明晶体管的功用越好。
晶体管的开关特性：
操控大功率现在的功率晶体管能操控数百千瓦的功率，运用功率晶体管作为开关有许多长处，首要是；
（1）简略关断，所需求的辅佐元器材少；
（2）开关敏捷，能在很高的频率下作业；
（3）可得到的器材耐压规模从100V到700V，包罗万象。
几年前，晶体管的开关才能还小于10kW。现在，它已能操控高达数百千瓦的功率。这首要归功于物理学家、技能人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的功用。如：
（1）开关晶体管有用芯片面积的添加；
（2）技能上的简化；
（3）晶体管的复合——达林顿；
（4）用于大功率开关的基极驱动技能的前进。
直接作业在整流380V市电上的晶体管功率开关
晶体管复合（达林顿）和并联都是有用地添加晶体管开关才能的办法。在这样的大功率电路中，存在的首要问题是布线。很高的开关速度能在很短的衔接线上发生适当高的搅扰电压。
简略和优化的基极驱动造就的高功用
今天的基极驱动电路不只驱动功率晶体管，还维护功率晶体管，称之为“非会集维护” （和会集维护对照）。集成驱动电路的功用包含：
（1）注册和关断功率开关；
（2）监控辅佐电源电压；
（3）约束最大和最小脉冲宽度；
（4）热维护；
（5）监控开关的饱满压降。
