晶体三极管

1、直流参数
（1）集电极一基极反向饱满电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规则的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在必定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱满电流。杰出的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则十分小，是毫微安级。
（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规则反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热安稳性的重要参数，其值越小，功能越安稳，小功率锗管的Iceo比硅管大。
（3）发射极—基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规则的反向电压时发射极的电流，它实践上是发射结的反向饱满电流。
（4）直流电流扩大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有沟通信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：
β1=Ic/Ib
2、沟通参数
（1）沟通电流扩大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的改变量△Ic与基极输入电流的改变量△Ib之比，即：
β= △Ic/△Ib
一般晶体管的β大约在10-200之间，假如β太小，电流扩大效果差，假如β太大，电流扩大效果尽管大，但功能往往不安稳。
（2）共基极沟通扩大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的改变是△Ic与发射极电流的改变量△Ie之比，即：
α=△Ic/△Ie
由于△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以运用
α与β之间的联系：
α= β/（1+β）
β= α/（1-α）≈1/（1-α）
（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，便是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，便是共基极的截止频率fαo fβ、fα是标明管子频率特性的重要参数，它们之间的联系为：
fβ≈（1-α）fα
（4）特征频率fT由于频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频扩大功能的重要参数。
3、极限参数
（1）集电极最大答应电流ICM 当集电极电流Ic添加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超越ICM时，尽管不致使管子损坏，但β值明显下降，影响扩大质量。
（2）集电极—-基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。
（3）发射极—–基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。
（4）集电极—–发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大答应电压，运用时假如Vce＞BVceo，管子就会被击穿。
（5）集电极最大答应耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的改变不超越答应值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实践的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.运用时庆使Pc＜PCM。
PCM与散热条件有关，添加散热片可进步PCM。